[发明专利]一种复合透明导电膜在审
申请号: | 201711283048.8 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN108074991A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 刘宏燕;颜悦;望咏林;伍建华 | 申请(专利权)人: | 中国航发北京航空材料研究院 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01B5/14 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 仉宇 |
地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 复合透明导电膜 金属氧化物层 导电层 减反射 银合金 电导率 耐环境性能 防紫外线 导电膜 隔热的 透过率 基底 透明 | ||
本发明提供一种复合透明导电膜,其包含:透明基底;两个保护性减反射金属氧化物层;以及一个银合金导电层;且所述银合金导电层被布置在两个保护性减反射金属氧化物层之间。本发明提供的这种复合透明导电膜,具有较高的透过率和电导率,同时具有较好的耐环境性能,不易氧化,不易脱落。此外,这种导电膜还具有防紫外线和隔热的效果。
技术领域
本发明涉及光电学薄膜领域,所述光电薄膜具有高透过率、低电阻等特性,同时具有较好的耐环境性能,不易氧化,不易脱落。此外,这种导电膜还具有防紫外线和隔热的效果。
背景技术
透明导电薄膜是平板电视、触摸屏、智能窗玻璃、发光二极管以及光伏电池等器件制造的必要组成部分。近年来,随着信息(如触摸显示)、能源(如光伏、智能窗玻璃)等产业的发展,人们对透明导电薄膜的需求量急剧增大,而在透明导电薄膜中,应用最广的一类是锡掺杂氧化铟薄膜,即俗称的ITO薄膜。众所周知,铟元素在地壳中的含量稀少(约为0.05ppm),且难于提纯,随着ITO薄膜的用量显著增大,其含量越来越稀少,导致价格骤增(将近5000元/公斤),从而增加触摸屏、薄膜太阳能电池等产业的制造成本。在2014年,ITO的销售额大约为18亿美元,占整个透明导电薄膜市场的92%左右。另一方面,为了制造大型显示器、大面积固态发光板等器件,要求所用的透明导电薄膜的方块电阻必须小于10Ω/□。虽然通过增加ITO薄膜的厚度可以满足此要求,但是,其成本从150Ω/□时的大约40元/平方米显著增加到5Ω/□时的230元/平方米左右,这种成本的增加是因为随着薄膜厚度增加,ITO的沉积速率减小,导致大部分ITO原料被浪费。因此,必须寻找一种新型透明导电薄膜。
为了减少对ITO的依赖度,研究人员试图寻找切实可行的ITO替代品,逐渐研发出了掺杂氧化锌薄膜(AZO和GZO等)、碳基透明导电薄膜(碳纳米管网膜和石墨烯等)和金属网栅透明导电薄膜等。掺杂氧化锌薄膜虽然通过增加薄膜的厚度可以获得很低的方块电阻,但是,耐酸碱性差,性能不稳定,不宜用于柔性显示器、光伏电池等器件的制备;而碳基透明导电薄膜虽然透过率高,但是其电阻率高,与半导体工业兼容性差,不宜大规模生产,尤其是石墨烯的制备需高温条件,限制了其在触摸屏制造领域的广泛应用。介质/金属/介质三明治结构的透明导电薄膜由于其电阻率和透过率可调价格低廉且与半导体工艺兼容,因此,在产业庞大的柔性触摸屏、太阳能电池等方面的制备中,受到越来越多的青睐,成为重点研究的一类可行的新型ITO替代薄膜,最近成为科学界和工业界的研究热点。
发明内容
发明目的:设计一种复合透明导电膜,使得该透明导电膜中的氧化物层,能够减少金属膜的反射,增加整体的透过率,同时,能够防止金属被氧化,在保证高的可见光透过率、低反射率的同时,可将紫外光反射。
技术方案:本发明提供一种复合透明导电膜,包括透明基底层、两个保护性减反射金属氧化物层以及银合金导电层,且形成四层结构;
从上至下依次为:上保护性减反射金属氧化物层、银合金导电层、下保护性减反射金属氧化物层、透明基底层。
进一步的,上述四层结构是通过磁控溅射的方法将保护性减反射金属氧化物和银分层溅射到透明基底上形成的。
进一步的,所述四层结构的可见光透过率高于92%。
进一步的,上保护性减反射金属氧化物层、银合金导电层以及下保护性减反射金属氧化物层整体的方块电阻不超过10欧姆。
进一步的,透明基底层材质为柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯、有机玻璃或无机玻璃。
进一步的,保护性减反射氧化物层材质为五氧化二铌(Nb2O5)、二氧化钛(TiO2)、氧化钨(WO3)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化镓锌(GZO)或氧化铟锌(IZO)。
进一步的,两个保护性减反射金属氧化物层的厚度均为30~50纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航发北京航空材料研究院,未经中国航发北京航空材料研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711283048.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的