[发明专利]半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法有效

专利信息
申请号: 201711284074.2 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN108269787B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 许峻玮;何信颖;詹勋伟 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L25/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子装置,其包括:

载体,其具有顶部表面;

发射器,其安置于所述载体的所述顶部表面的第一部分上;

检测器,其安置于所述载体的所述顶部表面的第二部分上,所述检测器具有表面;

分离壁,其安置于所述发射器与所述检测器之间的所述载体的所述顶部表面上;

第一遮光层,其邻近于所述载体的所述顶部表面安置,且从所述分离壁延伸到所述载体的所述第二部分,其中所述第一遮光层覆盖所述检测器的所述表面的第一部分并且暴露所述检测器的所述表面的第二部分,且其中所述第一遮光层在所述检测器下面延伸;

第二遮光层,其邻近于所述载体的所述顶部表面安置且从所述分离壁延伸到所述载体的所述第一部分,其中所述分离壁为不透明的;及

第一金属层,位于所述载体的底部表面上,

其中所述第一遮光层及所述第二遮光层由第二金属层分离。

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述第二遮光层在所述发射器下面延伸。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述第一遮光层及所述第二遮光层配置成防止自所述发射器发射的光经由所述载体内的一或多个光路进入所述检测器。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其中:

所述第二金属层在所述分离壁下方,

所述第二金属层及所述第一遮光层由第一间隙分离,且所述第二金属层的宽度小于所述分离壁的宽度,且

所述第二金属层及所述第二遮光层由第二间隙分离。

5.根据权利要求4所述的电子装置,其中所述第一间隙及所述第二间隙在所述分离壁下方。

6.根据权利要求4所述的电子装置,其中所述第一间隙与所述第二间隙之间的距离小于所述分离壁的宽度。

7.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包括:

第一封装本体,其覆盖所述发射器;及

第二封装本体,其覆盖所述检测器,其中所述第一封装本体及所述第二封装本体由所述分离壁分离。

8.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述第一金属层在所述载体的所述底部表面上的投影与所述第一遮光层在所述载体的所述底部表面上的投影重叠。

9.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述第一金属层的宽度大于所述第一遮光层的宽度。

10.一种光学结构,其包括:

载体;

第一芯片,其安置于所述载体的表面的第一区域上;

第二芯片,其安置于所述载体的所述表面的第二区域上;

杆体,其安置于所述第一区域与所述第二区域之间;

第一包覆层,其邻近于所述杆体的第一侧安置且通过第一开口与所述杆体分离;

第二包覆层,其邻近于所述杆体的第二侧安置且通过第二开口与所述杆体分离;及

分离壁,其安置于所述杆体、所述第一开口、所述第二开口及所述第一包覆层及所述第二包覆层中的每一者的部分上,且覆盖所述杆体、所述第一开口、所述第二开口及所述第一包覆层及所述第二包覆层中的每一者的部分,其中所述第一开口与所述第二开口之间的距离小于所述分离壁的宽度。

11.根据权利要求10所述的光学结构,其中所述第一包覆层包括电连接负电极或所述第一芯片的接地的互连结构。

12.根据权利要求10所述的光学结构,其中所述第一芯片为发光装置,且所述第二芯片为光检测器。

13.根据权利要求10所述的光学结构,其中所述第一包覆层在所述第一芯片下面延伸。

14.根据权利要求10所述的光学结构,其中所述第二包覆层在所述第二芯片下面延伸。

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