[发明专利]封装及相机模块有效
申请号: | 201711284367.0 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN108091663B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 宫泽信二;大冈丰 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈睆;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 相机 模块 | ||
本发明提供一种封装以及相机模块,所述封装包括:玻璃基板;半导体基板,所述半导体基板具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;保护层,所述保护层位于所述玻璃基板与所述半导体基板的所述第一侧之间;微透镜层,所述微透镜层处于所述半导体基板的所述第一侧;第一树脂区域,所述第一树脂区域包括在所述保护层与所述玻璃基板之间的树脂材料;以及第二树脂区域,所述第二树脂区域包括在与所述半导体基板的所述第一侧重合的平面和与所述半导体基板的所述第二侧重合的平面之间的树脂材料。
本申请是申请日为2013年9月5日、发明名称为“固体成像装置及电子装置”的申请号为201310400038.3的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种固态成像装置及一种电子装置,具体而言,涉及其中防水性得以提高的一种固态成像装置及一种电子装置。
背景技术
在过去,为在固态成像装置的制造中保护微透镜,提出在微透镜的表面上形成由氧化膜、氮化膜或氮氧化膜形成的保护膜(参见JP 2005-277409A及JP 2008-288570A)。此种保护膜利用例如SiN(氮化硅)形成,而且还具有防止硅基板的表面上的金属布线被腐蚀的功能。
图1是图示作为固态成像装置的示例的CMOS图像传感器芯片的结构的示意性剖视图,在所述固态成像装置中,在微透镜的表面上形成有保护膜。此芯片10具有其中堆叠有硅基板11、保护膜12、遮光膜13、平坦化膜14、滤色层15、平坦化膜16及微透镜层17的结构。应注意,硅基板11的表面上形成有光电二极管(未图示)。
此外,通过利用SiN等在微透镜层17的表面上形成保护膜(未图示),可防止水分及杂质进入至芯片10的表面(微透镜层17)侧。
然而,例如,当将芯片10放置于具有高的水蒸气压的环境中时,水分及杂质可进入芯片10的上面未形成有保护膜的侧面,并可使品质劣化。
例如,如图1中的箭头所示,进入芯片10的侧面的水分可吸收用于芯片10的密封树脂的成分并进入滤色层15中,此可导致滤色器脱色以及光学特性的改变。
此外,如图2中的箭头所示,进入芯片10的侧面的水分可到达硅基板11的表面,此可导致光电二极管的表面膜上的固定电荷发生变化并导致暗电流增大。
发明内容
因此,本发明旨在提高固态成像装置(例如CMOS图像传感器)的防水性。
根据本发明的第一实施例,提供一种固态成像装置,其包括:基板,其表面上形成有多个光电二极管;以及保护膜,其是透明的并且具有防水性,所述保护膜包括垂直于所述基板的所述表面的侧壁部及覆盖由所述侧壁部围绕的区域的顶部,所述侧壁部及所述顶部围绕在所述基板上排列有所述多个光电二极管的区域。
所述保护膜的所述侧壁部可沿所述固态成像装置的侧表面而形成。
所述保护膜还可沿开孔的内壁而形成,所述开孔用于布线至所述固态成像装置的电极焊盘。
所述保护膜的所述侧壁部被嵌入沿所述固态成像装置的外周边并且在所述外周边的内侧形成的凹槽中。
所述保护膜还可被嵌入形成于开孔的周边中的凹槽中,所述开孔用于布线至所述固态成像装置的所述电极焊盘。
所述保护膜的所述侧壁部的下端与内壁至少之一可与所述基板接触。
所述保护膜的所述顶部与所述基板之间可设置有滤色器。
所述保护膜的所述顶部可形成用于将光聚集至每一个所述光电二极管的微透镜。
所述保护膜的所述顶部可与所述滤色器接触。
所述保护膜的所述顶部可形成于微透镜的表面上,所述微透镜用于将光聚集至每一个所述光电二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的