[发明专利]一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法在审
| 申请号： | 201711286582.4 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108149216A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 施炜青;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅薄膜 淀积 低压化学 制备多晶硅薄膜 工艺条件 加工设备 质量问题 热分解 老化 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，其特征在于：采用SiH4在610～630℃的温度下进行热分解淀积；
SiH4＝SiH2(气)+H2 (1)
SiH2+Si(固)＝2[Si(固)-H*] (2)
2[Si(固)-H*]＝2Si(固)+H2 (3)
式中，Si(固)表示淀积在表面的硅原子，H*表示被吸附在硅表面的氢原子。
2.根据权利要求1所述的一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，其特征在于：采用SiH4在620℃的温度下进行热分解淀积。
3.根据权利要求1所述的一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，其特征在于：低压化学气相淀积中，保护气N2的流速为200-300cc/min。
4.根据权利要求3所述的一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，其特征在于：低压化学气相淀积中，N2的流速为250cc/min。
5.根据权利要求1所述的一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，其特征在于：低压化学气相淀积中，SiH4的流速为500cc/min。
6.根据权利要求1所述的一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，其特征在于：低压化学气相淀积中，成膜压力为0.5torr。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
