[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法在审
申请号: | 201711289567.5 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN108010930A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 穆钰平;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 田菁 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
第一管芯,所述第一管芯包括第一金属互连层以及位于所述第一金属互连层正面的焊盘;
第二管芯,所述第二管芯包括第二金属互连层,所述第二金属互连层包括一个或多个金属间电介质层和形成在各所述金属间电介质层中的金属,其中,所述第二管芯的正面与所述第一管芯的正面键合在一起;
穿通硅通孔,所述穿通硅通孔穿通所述第一金属互连层和所述焊盘,并到达所述金属;以及
接触件,所述接触件填充在所述穿通硅通孔中,并与所述焊盘以及所述金属电接触。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述穿通硅通孔包括穿通所述第一金属互连层而到达所述焊盘的第一通孔、以及穿通所述焊盘而到达所述金属的第二通孔,其中,所述第二通孔的顶端连接于所述第一通孔的底端。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
焊盘接触孔,所述焊盘接触孔穿通所述第一金属互连层而到达所述焊盘,以使得所述焊盘能够暴露于所述第一管芯的背面。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述接触件与所述第一金属互连层中的金属没有机械接触。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述接触件的顶端与所述穿通硅通孔的顶端平齐。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
盖帽层,所述盖帽层覆盖所述接触件的顶端的表面。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,还包括依次位于所述第一管芯的背面之上的高k层、抗反射涂层、以及钝化层,其中,所述穿通硅通孔和所述焊盘接触孔均还穿通所述高k层、所述抗反射涂层、以及所述钝化层。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述焊盘由铝形成。
9.一种形成图像传感器的方法,其特征在于,包括:
将第一管芯的正面与第二管芯的正面进行键合,其中,所述第一管芯包括第一金属互连层以及位于所述第一金属互连层正面的焊盘,所述第二管芯包括第二金属互连层,所述第二金属互连层包括一个或多个金属间电介质层和形成在各所述金属间电介质层中的金属;
从所述第一管芯的背面进行刻蚀处理并使刻蚀停止在所述金属,从而形成穿通所述第一金属互连层和所述焊盘而到达所述金属的穿通硅通孔;以及
在所述穿通硅通孔中填充导电材料来形成接触件,以使得所述接触件与所述焊盘以及所述金属电接触。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述穿通硅通孔包括穿通所述第一金属互连层而到达所述焊盘的第一通孔、以及穿通所述焊盘而到达所述金属的第二通孔,其中,所述第二通孔的顶端连接于所述第一通孔的底端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的