[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法在审
申请号: | 201711289567.5 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN108010930A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 穆钰平;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 田菁 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 形成 方法 | ||
本公开涉及一种图像传感器,包括:第一管芯,所述第一管芯包括第一金属互连层以及位于所述第一金属互连层正面的焊盘;第二管芯,所述第二管芯包括第二金属互连层,所述第二金属互连层包括一个或多个金属间电介质层和形成在各所述金属间电介质层中的金属,其中,所述第二管芯的正面与所述第一管芯的正面键合在一起;穿通硅通孔,所述穿通硅通孔穿通所述第一金属互连层和所述焊盘,并到达所述金属;以及接触件,所述接触件填充在所述穿通硅通孔中,并与所述焊盘以及所述金属电接触。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够简化工艺流程。
技术领域
本公开涉及半导体领域,具体来说,涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。
背景技术
图像传感器通过响应于入射电磁辐射传送信号来传达与图像有关的信息。图像传感器用于多种设备中,包括智能电话、数码相机、夜视设备、医疗成像器和许多其他设备。现有技术中存在利用电荷耦合器件(CCD)和CMOS架构的半导体成像器。
因此,存在对于新技术的需求。
发明内容
本公开的一个目的是提供一种改进的图像传感器及形成图像传感器的方法。
根据本公开的第一方面,提供了一种图像传感器,包括:第一管芯,所述第一管芯包括第一金属互连层以及位于所述第一金属互连层正面的焊盘;第二管芯,所述第二管芯包括第二金属互连层,所述第二金属互连层包括一个或多个金属间电介质层和形成在各所述金属间电介质层中的金属,其中,所述第二管芯的正面与所述第一管芯的正面键合在一起;穿通硅通孔,所述穿通硅通孔穿通所述第一金属互连层和所述焊盘,并到达所述金属;以及接触件,所述接触件填充在所述穿通硅通孔中,并与所述焊盘以及所述金属电接触。
根据本公开的第二方面,提供了一种形成图像传感器的方法,包括:将第一管芯的正面与第二管芯的正面进行键合,其中,所述第一管芯包括第一金属互连层以及位于所述第一金属互连层正面的焊盘,所述第二管芯包括第二金属互连层,所述第二金属互连层包括一个或多个金属间电介质层和形成在各所述金属间电介质层中的金属;从所述第一管芯的背面进行刻蚀处理并使刻蚀停止在所述金属,从而形成穿通所述第一金属互连层和所述焊盘而到达所述金属的穿通硅通孔;以及在所述穿通硅通孔中填充导电材料来形成接触件,以使得所述接触件与所述焊盘以及所述金属电接触。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。
图2是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。
图3至8是分别示出了在根据本公开一个示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的各个步骤处的图像传感器的截面的示意图。
注意,在以下说明的实施方式中,有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分,而省略其重复说明。在本说明书中,使用相似的标号和字母表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了便于理解,在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此,所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的