[发明专利]使用含硅垫层的方法

权利要求书

1.一种方法，包含(a)使用包含一种或多种聚合物的一种或多种缩合物和/或水解产物的组合物涂覆衬底来形成涂层，所述聚合物包含一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体作为聚合单元，其中所述可缩合含硅部分位于所述聚合物主链的侧位；(b)将所述涂层固化而形成聚合垫层；(c)在所述聚合垫层上布置光致抗蚀剂层；(d)对所述光致抗蚀剂层进行图案逐次曝光以形成潜像；(e)使所述潜像显影来形成其中具有浮雕图像的图案化光致抗蚀剂层；(f)将所述浮雕图像转印到所述衬底上；和(g)通过湿剥离去除所述聚合垫层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述可缩合含硅部分具有下式

＊-L-SiR¹_bY¹_3-b

其中L是单键或二价连接基团；各R¹独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-20烯基、C_5-20芳基以及C_6-20芳烷基；各Y¹独立地选自卤素、C_1-10烷氧基、C_5-10芳氧基以及C_1-10羧基；b是0至2的整数；并且*表示与所述单体的连接点。

3.根据权利要求2所述的方法，其中L是二价连接基团。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述二价连接基团包含一个或多个选自氧以及硅的杂原子。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述二价连接基团是具有1至20个碳原子并且任选地具有一个或多个杂原子的有机基团。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述二价连接基团具有式-C(＝O)-O-L¹，其中L¹是单键或具有1至20个碳原子的有机基团。

7.根据权利要求1所述的方法，其中至少一种第一不饱和单体具有式(2)

其中L是单共价键或二价连接基团；各R¹独立地选自H、C_1-10烷基、C_2-20烯基、C_5-20芳基以及C_6-20芳烷基；R²和R³各独立地选自H、C_1-4烷基、C_1-4卤烷基、卤基、C_5-20芳基、C_6-20芳烷基以及CN；R⁴选自H、C_1-10烷基、C_1-10卤烷基、卤基、C_5-20芳基、C_6-20芳烷基以及C(＝O)R⁵；R⁵选自OR⁶以及N(R⁷)₂；R⁶选自H、C_1-20烷基、C_5-20芳基以及C_6-20芳烷基；各R⁷独立地选自H、C_1-20烷基以及C_5-20芳基；各Y¹独立地选自卤素、C_1-10烷氧基、C_5-10芳氧基、C_1-10羧基；并且b是0至2的整数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述低聚物另外包含一种或多种不含可缩合含硅部分的第二不饱和单体作为聚合单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中至少一种第二不饱和单体具有酸性质子并且在水中的pKa是-5至13。