[发明专利]半导体器件的互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

导线，设置在衬底上方；

第一介电层，设置在所述衬底上方并且与所述导线共面；

第二介电层和第三介电层，所述第二介电层设置在所述导线上方，所述第三介电层设置在所述第一介电层上方，其中，所述第二介电层和所述第三介电层共面，并且所述第二介电层和所述第三介电层具有不同的组分；以及

通孔，延伸穿过所述第二介电层并且连接至所述导线，

其中，所述通孔包括与所述第二介电层交界的第一侧壁，与所述第一侧壁相对并与所述第二介电层交界的第二侧壁，在第一侧壁和所述第二侧壁之间延伸并与所述第三介电层交界的第三侧壁以及与所述第三侧壁相对的第四侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第四侧壁与所述第三介电层交界。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述通孔的底面与所述导线交界，并且所述通孔的顶面与另一导线交界。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电层是氮化物，并且所述第三介电层是氧化物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层和所述第三介电层具有相同的组分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二介电层是氮化硅。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

在设置在衬底上方的第一介电层中形成导电部件；

在所述导电部件上形成第二介电层，

在形成所述第二介电层之后，并且在所述第一介电层上方形成第三介电层，所述第三介电层与所述第二介电层相邻，其中，所述第二介电层和所述第三介电层具有不同的组分；

在图案化的第二介电层中蚀刻通孔开口，暴露所述导电部件；以及

用导电材料填充所述通孔开口，

在填充所述通孔开口后，在所述第二介电层和所述第三介电层上形成第四介电层，并且所述第四介电层与所述第二介电层和所述第三介电层交界。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第二介电层包括在所述导电部件上选择性生长材料。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第二介电层包括具有硅和氮的第一组分，并且形成所述第三介电层包括具有硅和氧的第二组分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，选择性生长所述材料包括在所述第一介电层的顶面上形成抑制剂层。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在蚀刻所述通孔开口之前，平坦化所述第二介电层和所述第三介电层。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二介电层的末端边缘垂直地对准在所述导电部件的末端边缘上方。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，填充所述通孔开口包括沉积阻挡层以及在所述阻挡层上方沉积所述导电材料。

14.根据权利要求7所述的方法，其中，沉积所述第二介电层包括在所述导电部件上选择性生长氮化硅。

15.根据权利要求7所述的方法，其中，填充所述通孔开口包括在沉积所述导电材料之后实施平坦化工艺。