[发明专利]鳍式场效晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包含：

形成延伸进入一半导体基板的多个隔离区，其中所述形成多个隔离区包含：

在共同的蚀刻制程中，蚀刻该半导体基板以形成两个第一沟槽及位于所述两个第一沟槽之间的一第二沟槽；

形成一硬遮罩层，所述硬遮罩层包含延伸至所述两个第一沟槽的两个底部的两个第一底部部分以及延伸至所述第二沟槽的一底部的一第二底部部分；

执行一蚀刻制程，其中所述两个第一底部部分以及所述第二底部部分暴露于使用于所述蚀刻制程中的蚀刻剂，蚀刻所述两个第一底部部分以及直接位于所述两个第一底部部分下的部分所述半导体基板以向下延伸所述两个第一沟槽，以及所述第二底部部分保护直接位于所述第二底部部分下的部分所述半导体基板；以及

用一介电材料填充所述两个第一沟槽以及所述第二沟槽以形成所述多个隔离区；

凹陷所述多个隔离区，使得所述多个隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于所述多个隔离区以形成多个半导体鳍片；

凹陷所述多个半导体鳍片以形成多个凹部，并凹陷所述第二沟槽中的隔离区，使所述第二沟槽中的隔离区的顶表面低于所述第一沟槽中的隔离区的顶表面；

自所述多个凹部磊晶成长一第一半导体材料；

蚀刻该第一半导体材料；以及

自已回蚀刻的该第一半导体材料磊晶成长一第二半导体材料。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，蚀刻该第一半导体材料是在磊晶成长该第一半导体材料之后执行。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二半导体材料与所述第一半导体材料不同。

4.根据权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二半导体材料具有比所述第一半导体材料更高的n型掺杂浓度。

5.根据权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二半导体材料具有比所述第一半导体材料更高的p型掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，自不同所述凹部开始成长的该第二半导体材料彼此合并，自不同所述凹部开始成长的该第一半导体材料彼此分离。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述回蚀刻包含非等向性蚀刻。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述回蚀刻包含等向性蚀刻。

9.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包含：

形成一第一隔离区在一第一半导体鳍片及一第二半导体鳍片之间，所述第一隔离区具有一第一底面；

形成一第二隔离区在所述第一半导体鳍片的一外侧上，其中所述第一隔离区及所述第二隔离区位于所述第一半导体鳍片的相对侧上，且所述第二隔离区具有比所述第一底面低的一第二底面；

蚀刻所述第一隔离区以形成自所述第一隔离区的一表面向所述第一隔离区内延伸的一第三凹部，其中所述第三凹部位在所述第一半导体鳍片及所述第二半导体鳍片之间；

形成一栅极堆叠在所述第一半导体鳍片及所述第二半导体鳍片上；

蚀刻该第一半导体鳍片及该第二半导体鳍片以形成一第一凹部及一第二凹部，且蚀刻所述第三凹部使得所述第三凹部的顶表面低于所述第二隔离区的顶表面；

分别自该第一凹部及该第二凹部成长一第一磊晶区及一第二磊晶区；

回蚀刻该第一磊晶区及该第二磊晶区；以及

分别自该第一磊晶区及该第二磊晶区成长一第三磊晶区及一第四磊晶区。

10.根据权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，当该第一磊晶区及该第二磊晶区彼此间隔开时，执行回蚀刻该第一磊晶区及该第二磊晶区。