[发明专利]鳍式场效晶体管的制造方法

说明书

一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部，自这些凹部磊晶成长第一半导体材料，蚀刻第一半导体材料，以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。

技术领域

本揭露实施例是关于一种鳍式场效晶体管的制造方法。

背景技术

集成电路(IC)材料及设计的技术进步已经产生了好几代的IC，每一代都具有比前几代更小及更复杂的电路。在IC进化过程中，功能密度，例如，每一晶片面积的互连元件的数量通常增加，而几何尺寸却减小。这种缩减制程通过提高生产效率及降低相关成本提供了好处。

发明内容

本揭露实施例提供一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区，其中形成多个隔离区包含：在共同的蚀刻制程中，蚀刻半导体基板以形成两个第一沟槽及位于两个第一沟槽之间的第二沟槽；形成硬遮罩层，硬遮罩层包含延伸至两个第一沟槽的两个底部的两个第一底部部分以及延伸至第二沟槽的底部的第二底部部分；执行蚀刻制程，其中两个第一底部部分以及第二底部部分暴露于使用于蚀刻制程中的蚀刻剂，蚀刻两个第一底部部分以及直接位于两个第一底部部分下的部分半导体基板以向下延伸两个第一沟槽，以及第二底部部分保护直接位于第二底部部分下的部分半导体基板；以及用介电材料填充两个第一沟槽以及第二沟槽以形成多个隔离区；凹陷这些隔离区，使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片；凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部；自这些凹部磊晶成长第一半导体材料；蚀刻第一半导体材料；以及自已回蚀刻的第一半导体材料磊晶成长第二半导体材料。

本揭露实施例提供一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成第一隔离区在第一半导体鳍片及第二半导体鳍片之间，第一隔离区具有第一底面；形成第二隔离区在第一半导体鳍片的外侧上，其中第一隔离区及第二隔离区位于第一半导体鳍片的相对侧上，且第二隔离区具有比第一底面低的第二底面；蚀刻第一隔离区以形成自第一隔离区的表面向第一隔离区内延伸的第三凹部，其中第三凹部位在第一半导体鳍片及第二半导体鳍片之间；形成栅极堆叠在第一半导体鳍片及第二半导体鳍片上；蚀刻第一半导体鳍片该第二半导体鳍片以形成第一凹部及第二凹部；分别自第一凹部及第二凹部成长第一磊晶区及第二磊晶区；回蚀刻第一磊晶区及第二磊晶区；以及分别自第一磊晶区及第二磊晶区成长第三磊晶区及第四磊晶区。

本揭露实施例提供一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成栅极堆叠在半导体鳍片上；形成多个栅极间隔物在栅极堆叠的多个侧壁上及形成多个鳍片间隔物在半导体鳍片的多个侧壁上；蚀刻多个鳍片间隔物；自半导体鳍片成长磊晶区以形成源极/漏极区的部分，其中磊晶区延伸至经由蚀刻多个鳍片间隔物所形成的间隙；蚀刻磊晶区；再成长磊晶区；以及形成硅化物区在磊晶区的顶表面上。

本揭露实施例提供一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成第一隔离区及第二隔离区，且半导体鳍片位于第一隔离区及第二隔离区间，其中第一隔离区相较于第二隔离区更深入半导体基板；凹陷半导体鳍片以在第一隔离区及第二隔离区间形成凹部；执行第一磊晶来自凹部成长半导体区；蚀刻半导体区；以及执行第二磊晶来扩大半导体区。

本揭露实施例提供一种鳍式场效晶体管的制造方法，包含形成延伸进入半导体基板的第一隔离区；形成延伸进入半导体基板的第二隔离区；形成第一半导体鳍片以及第二半导体鳍片，第一半导体鳍片位于第一隔离区以及第二隔离区间，以及第二隔离区位于第一半导体鳍片以及第二半导体鳍片间，其中第一隔离区相较于第二隔离区更深入半导体基板；凹陷第一半导体鳍片以及第二半导体鳍片以分别形成第一凹部以及第二凹部；以及自第一凹部以及第二凹部成长半导体区，其中气隙密封在半导体区下方，且气隙重叠第二隔离区域。