[发明专利]完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

伪差动共源极放大器；

第一级串迭装置，连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力；

第二级串迭装置，连接至该第一级串迭装置及提供差动输出；以及

至少一个回路，从该第二级串迭装置接收该差动输出及回馈该差动输出至该第二级串迭装置，

其中，该第二级串迭装置包括多个晶体管，该至少一个回路将该差动输出回馈至该多个晶体管，该多个晶体管的栅极通过并联连接的二极管连接的晶体管及电阻器连接该差动输出，用于减少漏极至栅极过应力，且该二极管连接的晶体管的背栅极偏置电压控制回馈量，用于升高在该第二级串迭装置的该多个晶体管的该栅极处的讯号。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该至少一个回路包含低通滤波器。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中，该低通滤波器具有角频率设定至超过大约三倍最高的调变带宽。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中，该低通滤波器包括至少一个电容器，并且该角频率是藉由改变该至少一个电容器的电容值而可编程。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第一级串迭装置及该第二级串迭装置为1.8V装置。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第一级串迭装置藉由透过串迭电压调整该第一级串迭装置的晶体管的栅极电压，而保护该伪差动共源极放大器免于过应力。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第二级串迭装置的该差动输出是连接至变压器。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中，该变压器为1匝初级及2匝次级，该变压器转换该差动输出成为单端输出。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中，该单端输出驱动负载。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该伪差动共源极放大器同时输入直流电压及射频讯号。

11.一种半导体结构，包括：

核心装置，发射输出及包括：

串迭装置，提供差动输出；以及

至少一个回路，回馈该差动输出至该串迭装置；

变压器，提供射频讯号至该核心装置；以及

陷波滤波器，连接至该变压器及定位在该射频讯号的二次谐波处，

其中，该串迭装置包括多个晶体管，该至少一个回路将该差动输出回馈至该多个晶体管，该多个晶体管的栅极通过并联连接的二极管连接的晶体管及电阻器连接该差动输出，用于减少漏极至栅极过应力，且该二极管连接的晶体管的背栅极偏置电压控制回馈量，用于升高在该串迭装置的该多个晶体管的该栅极处的讯号。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中，该变压器包括向下连接的中心抽头，其延伸垂直于该变压器。

13.如权利要求11所述的半导体结构，其中，该至少一个回路包含低通滤波器。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中，该低通滤波器包括至少一个电容器，并且该低通滤波器的角频率是藉由改变该至少一个电容器的该电容值而可编程。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中，该角频率是设定超过大约三倍的最高调变带宽。