[发明专利]完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器

说明书

本发明揭露涉及完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器，其一般是关于半导体结构，并且尤其是关于具有独特的偏压及电压驻波比保护的完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器及制造的方法。该结构包含伪差动共源极放大器；连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力的第一级串迭装置；连接至该第一级串迭装置及提供差动输出的第二级串迭装置；以及从该第二级串迭装置接收该差动输出及回馈该差动输出至该第二级串迭装置的至少一个回路。

技术领域

本发明揭露一般是关于半导体结构，并且尤其是关于具有独特的偏压及电压驻波比保护的完全空乏型绝缘层上覆硅功率放大器及制造的方法。

背景技术

在无线装置中需要集积化功率放大器。例如，该集积化功率放大器可以减少封装规格、成本、测试时间及在板上的组件。此外，该集积化功率放大器能够做到更复杂的线性化及校准技术以达到较佳的效率及性能。

很多功率放大器是独立组件。再者，集积化功率放大器由于高寄生损耗可能具有相对较差的效率。此外，由于低增益装置是可获得的，集积化功率放大器具有超过一个以上的增益级并且因此需要内部级间匹配，以及因此较高的硅面积。

发明内容

在本发明揭露的目的中，结构包括伪差动共源极放大器；连接至该伪差动共源极放大器及保护该伪差动共源极放大器免于过应力的第一级串迭装置；连接至该第一级串迭装置及提供差动输出的第二级串迭装置；以及从该第二级串迭装置接收及回馈该差动输出至该第二级串迭装置的至少一个回路。

在本发明揭露的目的中，结构包括：发射输出的核心装置并且包括：提供差动输出的串迭装置；以及回馈该差动输出至该串迭装置的至少一个回路；提供射频讯号至该核心装置的变压器；以及连接至该变压器及定位在该射频讯号的二次谐波处的陷波滤波器。

在本发明揭露的目的中，方法包括：透过连接至该伪差动共源放大器的第一级串迭装置而保护伪差动共源放大器免于过应力；从连接至该第一级串迭装置的第二极串迭装置提供差动输出至回路；以及回馈来自该回路的该差动输出至该第二级串迭装置。

附图说明

本发明揭露藉由本发明揭露的例示性的实施例的非限定的例子，依据参照该标示的多个图式而描述于该详细说明中。

图1依据本发明揭露的目的显示具有独特背栅极偏压的核心装置的电路图。

图2依据本发明揭露的目的显示用于图1的核心装置的说明背闸偏压校准的流程图。

图3依据本发明揭露的目的显示具有向下连接的中心抽头的变压器及相对于该变压器垂直延伸的布局。

图4依据本发明揭露的目的显示单端输入及输出功率放大器的电路图。

图5依据本发明揭露的目的显示可编程(programmable)陷波滤波器的电路图。

图6依据本发明揭露的目的显示用于图5的该陷波滤波器的可编程单位电容器器的电路图。

图7依据本发明揭露的目的藉由实现功率侦测器及耦合器显示对于图4的该功率放大器用于减缓电压驻波比(VSWR，Voltage Standing Wave Ratio)的电路图。

图8依据本发明揭露的目的藉由实现电压峰值侦测器显示对于图4的该功率放大器用于减缓电压驻波比的替代电路图。

图9依据本发明揭露的目的显示差动输入及单端输出功率放大器的电路图。

符号说明

100 核心装置结构

105 伪差动共源极放大器

110 第一级串迭装置

115 第二级串迭装置