[发明专利]半导体器件以及接触插塞

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基底基板，包括连接目标层；

下接触插塞，在所述基底基板之上并电连接到所述连接目标层；以及

上接触插塞，在所述下接触插塞之上，

所述下接触插塞包括：

下插塞层，限定从所述下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；

间隙覆盖层，填充所述间隙部分，所述间隙覆盖层具有楔形，所述间隙覆盖层的最低部分在所述连接目标层的最高部分之上；

上覆盖层，覆盖所述下插塞层的顶表面；以及

第一界面，在所述间隙覆盖层和所述上覆盖层之间，

其中所述上覆盖层包括：

第一上覆盖层，包括在所述间隙覆盖层和所述第一上覆盖层之间的所述第一界面；和

第二上覆盖层，与所述第一上覆盖层的侧表面接触并且包括在所述第一上覆盖层和所述第二上覆盖层之间的第二界面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述上覆盖层在所述下插塞层和所述上接触插塞之间使得所述下插塞层和所述上接触插塞彼此不直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隙覆盖层和所述上覆盖层包括与所述下插塞层不同类型的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述下接触插塞还包括覆盖所述下插塞层的侧表面和下表面的下阻挡层，并且

所述下插塞层的最高部分在比所述下阻挡层的最高部分低的水平面处。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述上覆盖层不覆盖所述下阻挡层的所述最高部分的顶表面。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

凹槽部分，与所述下阻挡层的上部分对应，在与所述上接触插塞的下表面的边缘相邻的部分处。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述下插塞层被所述下阻挡层、所述上覆盖层和所述间隙覆盖层围绕。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述上覆盖层的顶表面包括具有凹入形状的凹窝。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述下插塞层的顶表面的一部分不交叠所述上接触插塞的下表面，并且

所述上覆盖层不在所述下插塞层的所述顶表面的所述部分之上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中与所述间隙覆盖层接触的线缝被限定在所述下插塞层内并与交叠所述上接触插塞的所述下表面的部分间隔开。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述上接触插塞包括在所述上接触插塞的侧表面的下部分处的突出部分。