[发明专利]半导体器件以及接触插塞

说明书

本公开提供了半导体器件以及接触插塞。一种半导体器件具有高的电连接可靠性并且包括：基底基板，具有连接目标层；下接触插塞，形成在基底基板之上并电连接到连接目标层；以及上接触插塞，形成在下接触插塞之上，其中下接触插塞包括：下插塞层，具有从下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充间隙部分；以及上覆盖层，覆盖下插塞层的顶表面。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体器件，更具体地，涉及包括接触插塞的半导体器件。

背景技术

根据电子技术的当前状态，半导体器件通常要求快的操作速度。近来，为了快的操作速度，半导体器件的按比例缩小被快速地进行，并且由于半导体器件的设计的减小，半导体器件的部件之间的电阻通常增大。

发明内容

本发明构思涉及通过减小半导体器件的部件之间的电阻而具有高电连接可靠性的半导体器件。

根据本发明构思的一些示例实施方式，一种半导体器件包括：基底基板，具有连接目标层；下接触插塞，形成在基底基板之上并电连接到连接目标层；以及上接触插塞，形成在下接触插塞之上，其中下接触插塞包括：下插塞层，具有从下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充间隙部分；以及上覆盖层，覆盖下插塞层的顶表面。

根据本发明构思的示例实施方式，一种半导体器件包括：基板，具有有源区；栅电极，提供在有源区的一部分之上；下布线间绝缘层，位于栅电极之上并具有下接触孔；下接触插塞，填充下接触孔并且连接到栅电极；上布线间绝缘层，提供在下布线间绝缘层之上并包括上接触孔；以及上接触插塞，填充上接触孔并且连接到下接触插塞，其中下接触插塞包括：下阻挡层，覆盖下接触孔的内部侧表面和内部底表面；下插塞层，形成在下阻挡层之上并填充下接触孔的一部分，并包括从下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充间隙部分；以及上覆盖层，覆盖下插塞层的顶表面的交叠上接触孔的底表面的部分以及间隙覆盖层的顶表面。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，本发明构思的示例实施方式将被更清楚地理解，在附图中：

图1是根据一示例实施方式的半导体器件的剖视图；

图2至图10是用于描述根据一示例实施方式的制造半导体器件的方法的剖视图；

图11A至图11I是根据示例实施方式的半导体器件的剖视图；

图12是根据另一示例实施方式的半导体器件的剖视图；

图13是根据另一示例实施方式的半导体器件的剖视图；

图14至图19是用于描述根据另一示例实施方式的制造半导体器件的方法的剖视图；

图20A至图20C是根据另一些示例实施方式的半导体器件的剖视图；

图21A和图21B是根据另一示例实施方式的半导体器件的剖视图；以及

图22是根据一示例实施方式的电子系统的方框图。

具体示例实施方式

本发明构思的示例实施方式将参照附图来描述，以充分理解本发明构思的组成和效应。

图1是根据一示例实施方式的半导体器件1000的剖视图。

参照图1，半导体器件1000可以包括基板110、位于基板110之上的栅电极150、以及电连接到栅电极150的下接触插塞220和230。栅电极150可以被称为下接触插塞220和230将连接到其的连接目标层。