[发明专利]多带电粒子束曝光方法以及多带电粒子束曝光装置

说明书

本发明涉及多带电粒子束曝光方法及多带电粒子束曝光装置，在使用基于带电粒子束的多束将按每束预先设定的多个控制照射时间对应的多个分割发射分别组合来对相同的照射位置持续进行多个分割发射，来对多重曝光中的每个通路的各束的照射位置分别进行所希望的照射时间的曝光的情况下，使用预先取得的消隐误差时间，按每个控制照射时间运算实效照射时间，创建表示控制照射时间与实效照射时间的关系的相关关系数据，使用相关关系数据，按试样的每个照射位置，选择与所希望的照射时间更接近的实效照射时间所对应的分割发射的组合，使用多束，进行按照对于试样的每个照射位置选择出的分割发射的组合的曝光。

技术领域

本发明涉及多带电粒子束曝光方法以及多带电粒子束曝光装置，例如涉及多束描绘中的照射时间的修正。

背景技术

担负着半导体器件的微细化的进展的光刻技术在半导体制造工序中也是唯一生成图案的极其重要的工序。近年来，伴随着LSI的高集成化，对半导体器件要求的电路线宽度每年不断微细化。这里，电子线(电子束)描绘技术本质上具有出色的分辨率，进行使用电子线对晶片等的描绘。

例如，存在使用多束的描绘装置。由于与通过1条电子束进行描绘的情况相比，通过使用多束能够一次照射很多的束，所以能够大幅提高生产率。在该多束方式的描绘装置中，例如使从电子枪释放出的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多束，并分别被消隐(blanking)控制，未被遮挡的各束通过光学系统而被缩小，被偏转器偏转后向试样上的所希望的位置照射。

在多束描绘中，当进行高精度的描绘时，为了向试样上的各个位置赋予被指定了的照射量，基于照射时间分别独立地控制各个束的照射量。为了高精度地控制该各束的照射量，进行束的ON/OFF(有/无)的消隐控制需要以高速进行。因此，在多束方式的描绘装置中，对配置了多束的各消隐电极的消隐孔阵列基板安装各束用的消隐控制电路。而且，对各束独立地进行了消隐控制。例如，对所有束的控制电路发送束ON的触发信号。各束的控制电路在基于触发信号对电极施加束ON电压的同时，通过计数器对照射时间进行计数，如果照射时间结束则施加束OFF电压。在该控制中，例如以10比特的控制信号进行了控制。但是，由于消隐孔阵列基板上的设置电路的空间、能够使用的电流量存在限制，所以对于控制信号的信息量不得不成为简单的电路，难以内置能够进行高速高精度的动作的消隐电路。并且，由于对消隐孔阵列基板安装各束用的消隐控制电路，也成为了缩窄多束的间距的限制。

因此，提出了一种将1次发射(shot)的最大照射时间分割为基于多个子照射时间的多个分割发射，对于每一个束通过分割发射的组合来进行所希望的照射时间的束照射的方法(例如，参照日本专利公开公报2014－112639号)。通过该方法，不需要在消隐孔阵列基板安装计数器电路等，电路构成能够简化。

在包括多束的电子束的消隐控制中，需要对如上述那样施加于成对的电极的电压进行切换的动作。但是，在该电压的切换时，消隐波形不成为理想的矩形，会在电压切换的上升沿以及下降沿中产生延迟。因此，对于控制上的照射时间，实际的照射时间包含误差。例如，在通过可变成形(VSB)方式的单束进行描绘的描绘装置中，由于通过1组电极以1个发射量的所希望的照射时间为单位对1条束进行消隐控制，所以因为是单束而容易实现高速的消隐电极和驱动电路，并且由于不使用灰束(日文原文：グレイビーム)描绘所以不使用抗蚀剂不感光那样的短的发射时间，因此能够实现束的ON和OFF的整定波形不重叠那样的消隐控制。可知在这样的装置中，曝光时间控制的误差不取决于曝光时间而统一地产生。因此，能够将该误差作为补偿时间来统一地修正照射时间。然而，在多束方式的描绘装置中，存在如果使用上述的分割发射则1次分割发射中的照射时间极短的情况，可知误差的方式不像单束的情况那样是一样的。因此，无法进行与单束相同的修正处理，导致照射时间中包含误差。

发明内容

本发明的一个方式提供能够修正多束曝光中的消隐误差的多带电粒子束曝光装置以及多带电粒子束曝光方法。