[发明专利]半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括外围电路区域和单元阵列区域；

外围结构，其在所述外围电路区域上；

下绝缘层，其覆盖所述外围电路区域和所述单元阵列区域，所述外围电路区域上的所述下绝缘层具有平坦部分和从所述平坦部分凸出的凸出部分；以及

堆叠，其在所述下绝缘层上并且在所述单元阵列区域上，其中所述堆叠包括交替地且重复地堆叠的上导电图案和绝缘图案。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下绝缘层的所述凸出部分垂直地重叠所述外围结构。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下绝缘层的厚度大于所述绝缘图案的每个的厚度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述下绝缘层的厚度大于所述上导电图案的每个的厚度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述单元阵列区域上的所述下绝缘层和所述凸出部分具有基本相同的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述平坦部分和所述凸出部分具有基本相同的厚度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述凸出部分的顶表面的高度高于所述堆叠的所述绝缘图案中的最下面的绝缘图案的顶表面的高度。

8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

虚设牺牲图案，其在所述外围电路区域上并且在所述下绝缘层与所述外围结构之间。

9.如权利要求8所述的半导体器件，还包括：

下导电图案，其在所述单元阵列区域上并且在所述下绝缘层与所述衬底之间。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述虚设牺牲图案包括在所述平坦部分与所述衬底之间的延伸部分，以及

所述延伸部分和所述下导电图案在相同的高度处。

11.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

上绝缘层，其直接在所述下绝缘层上并且具有平坦的顶表面。

12.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

接触插塞，其穿透所述凸出部分，

其中所述外围结构是外围晶体管，以及其中所述接触插塞联接到所述外围晶体管的源极/漏极区域。

13.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括外围电路区域和单元阵列区域；

外围结构，其在所述外围电路区域上；

下绝缘层，其覆盖所述外围电路区域和所述单元阵列区域并且在所述外围结构上具有凸出部分；以及

堆叠，其在所述下绝缘层上并且在所述单元阵列区域上，其中所述堆叠包括交替地且重复地堆叠的上导电图案和绝缘图案，以及其中所述凸出部分的顶表面的高度高于所述堆叠的所述绝缘图案中的最下面的绝缘图案的顶表面的高度。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述下绝缘层的厚度大于所述绝缘图案的每个的厚度的三倍。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述下绝缘层的厚度大于所述上导电图案的每个的厚度的三倍。

16.如权利要求13所述的半导体器件，还包括：

虚设牺牲图案，其在所述凸出部分与所述外围结构之间。

17.如权利要求16所述的半导体器件，还包括：

下导电图案，其在所述单元阵列区域上并且在所述下绝缘层与所述衬底之间。