[发明专利]光学防伪元件及其制备方法

权利要求书

1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件至少包括：

基材；

位于所述基材上的起伏结构层，该起伏结构层包括具有第一起伏结构的第一区域和具有第二起伏结构的第二区域，其中所述第一起伏结构表面的比体积小于所述第二起伏结构表面的比体积；

仅位于所述第一区域上的镀层；

位于所述镀层上且覆盖所述第一区域的至少第一子区域的具有第一颜色特征的涂层；以及

位于所述镀层上且覆盖所述第一区域的至少第二子区域的具有不同于所述第一颜色特征的第二颜色特征的涂层，其中具有第一颜色特征的涂层与具有第二颜色特征的涂层通过涂布的方式形成，

其中，所述具有第一颜色特征的涂层仅覆盖所述第一子区域且所述具有第二颜色特征的涂层仅覆盖第二子区域，或者所述具有第一颜色特征的涂层和所述具有第二颜色特征的涂层在所述第一子区域或所述第二子区域中一者上重叠。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一起伏结构表面的比体积小于0.2um³/um²。

3.根据权利要求2所述的光学防伪元件，其中，所述第一起伏结构表面的比体积小于0.1um³/um²。

4.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一起伏结构的截面或所述第二起伏结构的截面为余弦结构、锯齿形结构、柱面结构、球面结构、棱锥结构、方波型结构或它们的组合。

5.根据权利要求4所述的光学防伪元件，其中，所述第一起伏结构的截面为余弦结构、锯齿形结构、方波型结构或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第二起伏结构表面的比体积大于0.2um³/um²。

7.根据权利要求6所述的光学防伪元件，其中，所述第二起伏结构表面的比体积大于0.5um³/um²。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第二起伏结构的周期大于1um而小于20um。

9.根据权利要求8所述的光学防伪元件，其中，所述第二起伏结构的周期大于3um而小于15um。

10.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第二起伏结构的深度大于0.3um而小于10um。

11.根据权利要求10所述的光学防伪元件，其中，所述第二起伏结构的深度大于2um而小于5um。

12.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述具有第一颜色特征的涂层和所述具有第二颜色特征的涂层的比体积均大于所述第一起伏结构表面的比体积，而小于所述第二起伏结构表面的比体积。

13.根据权利要求12所述的光学防伪元件，其中，所述具有第一颜色特征的涂层和所述具有第二颜色特征的涂层的比体积均大于0.1um³/um²而小于1um³/um²。

14.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其中，所述具有第一颜色特征的涂层和所述具有第二颜色特征的涂层的比体积均大于0.2um³/um²而小于0.5um³/um²。

15.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述具有第一颜色特征的涂层和所述具有第二颜色特征的涂层之一为透明无色涂层。