[发明专利]半导体封装模组的切割方法及半导体封装单元在审
申请号: | 201711297556.1 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN109904296A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 王昇龙;詹富豪 | 申请(专利权)人: | 昱鑫制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L25/075;H01L21/78;H01L21/268 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 半导体封装单元 封装层 复数 半导体封装 切割线 模组 切割 半导体芯片 雷射 影响半导体 表面定义 点状凹陷 封装单元 雷射切割 切割通道 对基板 裂开 包覆 良率 烧焦 施力 投射 制程 制作 | ||
1.一种半导体封装模组的切割方法,其特征在于,包括:
在一基板的一表面上设置复数个半导体芯片;
以一封装层包覆设置在所述基板的表面的半导体芯片;
将一雷射投射在相邻两个所述半导体芯片之间的基板或所述封装层,并在所述基板或所述封装层上形成复数个点状凹陷部;及
对所述基板施力,使得所述基板沿着所述复数个点状凹陷部裂开,并形成复数个半导体封装单元。
2.根据权利要求1所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,包括以下步骤:将所述雷射一次或多次投射在所述基板或所述封装层的相同位置上,并于所述基板或所述封装层上形成所述复数个点状凹陷部。
3.根据权利要求1所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,包括以下步骤:依据所述半导体芯片的设置位置,在所述基板的表面定义出复数个切割线,以所述雷射投射在所述切割线上,并沿着所述切割线在所述基板或所述封装层形成所述复数个点状凹陷部。
4.根据权利要求1所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,其中所述半导体芯片为发光二极体晶粒、IC芯片或半导体组件。
5.根据权利要求1所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,其中所述封装层包括至少一封装体及至少一保护层,所述封装体为半圆球状、平面形体、方形体、多边形体或曲面结构并包覆所述半导体芯片,而所述保护层则位于未设置所述封装体的所述基板的表面。
6.一种半导体封装模组的切割方法,其特征在于,包括:
在一基板的一表面上设置复数个半导体芯片;
以一封装层包覆所述基板表面的所述半导体芯片;
依据所述半导体芯片的设置位置,在所述基板的表面定义出复数个切割线,其中各个所述切割线位于两个所述半导体芯片之间,且所述各个切割线包括复数个切割区段;
将一雷射依序投射在不相邻的切割区段的所述基板或所述封装层,并依序在不相邻的切割区段的所述基板或所述封装层上形成复数个切割痕,直到以所述雷射在所有的切割线上形成所述切割痕;及
对所述基板施力,使得所述基板沿着所述切割痕裂开,并形成复数个半导体封装单元。
7.根据权利要求6所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,其中所述切割痕包括复数个点状凹陷部。
8.根据权利要求7所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,包括以下步骤:将所述雷射一次或多次投射在所述基板或所述封装层的相同位置上,并于所述基板或所述封装层上形成所述复数个点状凹陷部。
9.根据权利要求6所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,其中所述半导体芯片为发光二极体晶粒、IC芯片或半导体组件。
10.根据权利要求6所述的半导体封装模组的切割方法,其特征在于,其中所述封装层包括至少一封装体及至少一保护层,所述封装体为半圆球状、平面形体、方形体、多边形体或曲面结构并包覆所述半导体芯片,而所述保护层则位于未设置所述封装体的所述基板的表面。
11.一种半导体封装单元,其特征在于,包括:
一基板,包括一上表面、一下表面及复数个侧表面,其中所述上表面与所述下表面相对,而所述复数个侧表面则环设在所述上表面及所述下表面的周围;
至少一半导体芯片,位于所述基板的所述上表面;
一封装层,设置在所述基板的上表面,并包覆所述半导体芯片,并具有复数个侧边;及
一锯齿状构造或一圆锥状构造,包括复数个点状凹陷部,位于所述基板的至少一所述侧表面及所述封装层的至少一所述侧边。
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