[发明专利]半导体封装模组的切割方法及半导体封装单元

说明书

本发明公开了一种半导体封装模组的切割方法及其半导体封装单元，主要于基板上设置复数个半导体芯片，并以封装层包覆半导体芯片及基板的表面。在基板的表面定义复数个切割线，并以雷射在切割线上的基板或封装层上形成复数个点状凹陷部，而后对基板施力，使得基板沿着切割线裂开，并形成复数个半导体封装单元。在本发明中主要使用雷射切割半导体封装模组，并于切割时调整雷射的功率或投射在基板或封装层的时间，以避免封装层烧焦而影响半导体封装单元的良率。此外亦可减少或省去基板上的切割通道，以提高单位面积上半导体封装单元的设置数量、提高制程的产出数量及降低半导体封装单元的制作成本。

【技术领域】

本发明涉及一种半导体封装模组的切割方法及其半导体封装单元，主要使用雷射切割半导体封装模组，并于切割时调整雷射的功率或投射在基板或封装层的时间，以提高单位面积上半导体封装单元的设置数量、提高制程的产出数量及降低半导体封装单元的制作成本。

【背景技术】

发光二极体(LED；Light-Emitting Diode)由于具备有寿命长、体积小、耗电量少、反应速度快、无辐射及单色性发光之特性及优点，因此被广泛应用于指示灯、广告广告牌、交通号志灯、汽车车灯、显示器面板、通讯器具、消费电子等各项产品中。

如图1及图2所示，分别为习用技术发光二极体的侧视图及俯视图，发光二极体模组10包括一基板11、复数个发光二极体晶粒13及至少一封装层15，其中基板11上设置复数个发光二极体晶粒13，并以封装层15包覆基板11上的各个发光二极体晶粒13，藉此在各个发光二极体晶粒13上形成一封装体151及保护层153。具体来说，封装体151可为半圆球状、平面或曲面的构造，除了可用以保护发光二极体晶粒13之外，亦可用以聚焦发光二极体晶粒13所产生的光源。

在完成发光二极体晶粒13及封装层15的设置后，可透过刀具12切割两个相邻的发光二极体晶粒13之间的封装层15及基板11，例如可沿着图1及图2的切割线14切割发光二极体模组10，藉此以形成复数个发光二极体101。

此外为了方便使用刀具12切割发光二极体模组10，在基板11上设置发光二极体晶粒13时，会在相邻的发光二极体晶粒13之间除了保护层153作用宽度外还预留一切割通道17，以避免在切割过程中，刀具12损坏了封装体151或发光二极体晶粒13。由于切割通道17的存在，将减少基板11上可设置发光二极体晶粒13的数量，相对也增加发光二极体晶粒13的制作成本。

此外发光二极体模组10在经过刀具12切割后，往往会产生碎屑，因此往往需要以水或清洁液冲洗经过切割的发光二极体101。然而在清洁发光二极体101的过程中，有可能会导致基板11上的封装层15或剩下的保护层153脱离，进而降低发光二极体101的良率。

【发明内容】

本发明的目的就是提供一种半导体封装模组的切割方法及其半导体封装单元，使用雷射切割半导体封装模组，相较于使用刀具切割基板或封装层，可有效减少基板上预留的切割通道的面积，以提高单位面积上半导体封装单元的设置数量、提高制程的产出数量、降低半导体封装单元的制作成本及减少基板在切割时的碎裂物质。

为了达成上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种半导体封装模组的切割方法，包括：

在一基板的一表面上设置复数个半导体芯片；

以一封装层包覆设置在所述基板的表面的半导体芯片；

将一雷射投射在相邻两个所述半导体芯片之间的基板或所述封装层，并在所述基板或所述封装层上形成复数个点状凹陷部；及

对所述基板施力，使得所述基板沿着所述复数个点状凹陷部裂开，并形成复数个半导体封装单元。

所述的半导体封装模组的切割方法，包括以下步骤：将所述雷射一次或多次投射在所述基板或所述封装层的相同位置上，并于所述基板或所述封装层上形成所述复数个点状凹陷部。