[发明专利]MOS管制作方法、MOS管、三维存储器及电子设备

权利要求书

1.一种MOS管制作方法，其特征在于，包括：

在目标衬底上定义有源区，其中，所述有源区包括待形成第一电极的第一电极区和待形成栅极的栅极区，所述第一电极包括漏极和/或源极；

在所述有源区上方形成分段式氧化层，所述分段式氧化层包括设于第一电极区上方的第一平层段，靠近栅极区的第二平层段，以及介于所述第一平层段与所述第二平层段之间且沿靠近栅极区方向逐渐增厚的渐变段；

穿过所述分段式氧化层向所述分段式氧化层下的有源区进行离子掺杂，在所述有源区形成分段式漂移区和第一电极，其中，所述分段式漂移区在所述第一平层段下方的深度大于在所述第二平层段下方的深度且在所述渐变段下方缓变；

基于所述分段式漂移区和所述第一电极形成MOS管。

2.根据权利要求1所述的MOS管制作方法，其特征在于，所述向所述分段式氧化层下的有源区进行离子掺杂，在所述有源区形成分段式漂移区和第一电极，包括：

按第一掺杂浓度向所述分段式氧化层下的有源区进行离子掺杂，形成分段式漂移区；

按第二掺杂浓度向所述有源区内的第一电极区进行离子掺杂，形成第一电极，其中，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的MOS管制作方法，其特征在于，所述第一掺杂浓度包括第一子掺杂浓度，所述按第一掺杂浓度向所述分段式氧化层下的有源区进行离子掺杂，形成分段式漂移区，包括：

按第一子掺杂浓度向所述分段式氧化层下的有源区掺杂第一杂质离子，形成掺杂有所述第一杂质离子的第一分段式漂移区，其中，掺杂第一杂质离子的掺杂能量大于使所述第一杂质离子穿过所述第二平层段的能量。

4.根据权利要求3所述的MOS管制作方法，其特征在于，所述第一掺杂浓度还包括第二子掺杂浓度，在形成掺杂有所述第一杂质离子的第一分段式漂移区之后，还包括：

按第二子掺杂浓度向所述分段式氧化层下的有源区掺杂第二杂质离子，形成掺杂有所述第二杂质离子的第二分段式漂移区，其中，掺杂第二杂质离子的掺杂能量大于使所述第二杂质离子穿过所述第一平层段的能量，并小于使所述第二杂质离子穿过所述第二平层段的能量。

5.根据权利要求4所述的MOS管制作方法，其特征在于，所述在目标衬底上定义有源区，包括：

在P型衬底上定义有源区；或者

在N型衬底的P阱内定义有源区；

所述第一杂质离子包括磷离子，所述第二杂质离子包括砷离子，所述第一电极包括N型电极。

6.根据权利要求1所述的MOS管制作方法，其特征在于，所述在所述有源区上方形成分段式氧化层，包括：

在所述目标衬底上全面形成高电压栅极氧化层；

通过刻蚀工艺刻蚀所述有源区上方的所述高电压栅极氧化层，在刻蚀区域形成分段式氧化层的第一平层段，在所述刻蚀区域的边缘自然形成所述分段式氧化层的渐变段，未被刻蚀的高电压栅极氧化层形成所述分段式氧化层的第二平层段。

7.一种MOS管，其特征在于，包括：形成于有源区的栅极、漏极和源极；

所述漏极和源极设于所述栅极的两侧；

所述漏极和/或所述源极上方设有分段式氧化层，所述分段式氧化层包括设于所述漏极和/或所述源极上方的第一平层段，靠近所述栅极的第二平层段，以及介于所述第一平层段与所述第二平层段之间且沿靠近栅极方向逐渐增厚的渐变段；

所述漏极和/或所述源极周围设有与所述分段式氧化层位置对应的分段式漂移区，所述分段式漂移区在所述第一平层段下方的深度大于在所述第二平层段下方的深度且在所述渐变段下方缓变。

8.根据权利要求7所述的MOS管，其特征在于，所述漏极和/或所述源极的周围形成有分段式漂移区，所述分段式漂移区包括杂质离子扩散深度不同的至少两段漂移区。

9.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器的外围电路中设置有权利要求7或8所述的MOS管。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中设置有权利要求9所述的三维存储器。