[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽表面的第一P型扩散区、形成于所述第二沟槽表面的第二P型扩散区、形成于所述N型衬底及所述第一、第二P型扩散区表面的N型外延、形成于所述N型外延上的氧化硅层、贯穿所述N型外延并延伸至所述N型衬底中与所述第一P型扩散区两侧的两个第三沟槽、贯穿所述N型外延并延伸至所述N型衬底与所述第二P型扩散区两侧的两个第四沟槽、位于所述第三沟槽中的氧化硅、位于所述第四沟槽中的氧化硅、对应所述第一沟槽且贯穿所述氧化硅层的第一通孔、对应所述第二沟槽且贯穿所述氧化硅层的第二通孔、形成于所述N型外延层表面并延伸至所述N型衬底中的P型注入区、形成于所述P型注入区表面的N型注入区、贯穿所述氧化硅层且对应所述N型注入区的开口、及形成于所述N型衬底远离所述N型外延一侧的P型注入层。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述氧化硅层上且通过所述第一通孔及所述第二通孔与所述第一沟槽及第二沟槽上的N型外延连接，所述第一金属层还通过所述开口与所述N型注入区相连。

3.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述P型注入层远离所述N型衬底的表面。

4.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述P型注入区位于所述两个第三沟槽与所述两个第四沟槽之间。

5.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述第三沟槽在所述N型衬底中的深度小于所述第一沟槽的深度，所述第四沟槽在所述N型衬底中的深度小于所述第二沟槽的深度。

6.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底上形成氧化层，使用第一光刻胶作为掩膜刻蚀氧化层及所述N型衬底形成贯穿所述氧化层且延伸至所述N型衬底中的第一沟槽及第二沟槽；

进行P型扩散从而在所述第一沟槽表面形成第一P型扩散区及在所述第二沟槽表面形成第二P型扩散区；

去除所述氧化层，在所述N型衬底、所述第一、第二P型扩散区的所述第一沟槽与第二沟槽中形成N型外延；

在所述N型外延远离所述N型衬底的表面形成氧化硅层，对应所述第一P型扩散区的两侧形成贯穿所述氧化硅层、所述N型外延并延伸至所述N型衬底及所述第一P型扩散区两侧的两个第三沟槽，对应所述第二P型扩散区的两侧形成贯穿所述氧化硅层、所述N型外延并延伸至所述N型衬底及所述第二P型扩散区两侧的两个第四沟槽；

使用氧化硅填满所述两个第三沟槽及两个第四沟槽；

使用第二光刻胶刻蚀所述氧化硅层，从而形成贯穿所述氧化硅层的开口，利用所述开口对所述N型外延进行P型离子注入；

进行热退火从而在对应所述开口且从所述N型外延延伸至所述N型衬底中的P型注入区；

形成贯穿所述氧化硅层且对应所述第一沟槽的第一通孔及贯穿所述氧化硅层且对应所述第二沟槽的第二通孔；及

在所述N型衬底远离所述N型外延表面形成P型注入层。

7.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤：

在所述氧化硅层上形成第一金属层，所述第一金属层通过所述第一通孔及所述第二通孔连接所述N型外延，所述第一金属层还通过所述开口与所述N型注入区相连。

8.如权利要求7所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤:对所述N型衬底远离所述N型外延表面进行研磨减薄再形成所述P型注入层，在所述P型注入层远离所述N型衬底的表面形成第二金属层。

9.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述P型注入区位于所述两个第三沟槽与所述两个第四沟槽之间。

10.如权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于：所述第三沟槽在所述N型衬底中的深度小于所述第一沟槽的深度，所述第四沟槽在所述N型衬底中的深度小于所述第二沟槽的深度。