[发明专利]光刻胶去除工艺的测试方法

权利要求书

1.一种光刻胶去除工艺的测试方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底涂覆第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖所述半导体衬底的整个表面；

在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶，在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶的步骤包括：

在所述第一光刻胶表面涂布第二光刻胶，其中所述第二光刻胶为环状结构，其覆盖所述第一光刻胶除中间部分以外的其他区域；

在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶的步骤还包括：

在所述第二光刻胶表面涂布第三光刻胶，其中所述第三光刻胶为环状结构，且其环宽小于所述第二光刻胶的环宽；

所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均采用旋涂式工艺进行涂覆而成，且所述第一光刻胶涂覆时光刻胶喷嘴的起始位置位于所述半导体衬底的中心，而所述第二光刻胶涂覆时所述光刻胶喷嘴的起始位置偏离所述半导体衬底中心第一预定距离；

所述第一光刻胶和所述多层光刻胶之间形成具有多个台阶图形的光刻胶多级台阶结构；

对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形的光刻胶厚度进行测量；

在所述光刻胶多级台阶结构进行半导体工艺处理，并对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形进行光刻胶去除工艺测试。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预定距离为10毫米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三光刻胶采用旋涂式工艺进行涂覆而成，且在在涂覆所述第三光刻胶时，光刻胶喷嘴的起始位置可以从所述第二光刻胶的内侧边缘第二预定距离。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预定 距离为10毫米。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶多级台阶结构包括第一台阶图形、第二台阶图形和第三台阶图形，所述第一台阶图形包括所述第一光刻胶未被所述第二光刻胶覆盖的部分，所述第二台阶图形包括所述第二光刻胶未被所述第三光刻胶覆盖的部分，所述第三台阶图形至少包所述第三光刻胶的内侧边缘部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一台阶图形的厚度为所述第一光刻胶的厚度，所述第二台阶图形的厚度为所述第一光刻胶加上所述第二光刻胶的厚度，所述第三台阶图形的厚度为第一光刻胶、第二光刻胶和第三光刻胶的厚度之和。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第三光刻胶涂覆完成之后，根据实际测试需要，采用相类似的光刻胶涂覆工艺在所述第三光刻胶表面依次进行第四光刻胶至第N光刻胶的涂覆，其中所述第四光刻胶至所述第N光刻胶均为环状结构，且其环宽逐渐减小，以使得所述第一至第N光刻胶具有以所述半导体衬底的中心为圆心的多次同心圆结构。