[发明专利]光刻胶去除工艺的测试方法

说明书

本发明提供了一种光刻胶去除工艺的测试方法，所述光刻胶去除工艺的测试方法包括：在半导体衬底涂覆第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖所述半导体衬底的整个表面；在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶，其中所述多层光刻胶均为环状结构且具有不同环宽，且与所述第一光刻胶形成具有多个台阶图形的光刻胶多级台阶结构；对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形的光刻胶厚度进行测量；在所述光刻胶多级台阶结构进行半导体工艺处理，并对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形进行光刻胶去除工艺测试。

【技术领域】

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，特别地，涉及一种光刻胶去除工艺的测试方法。

【背景技术】

在半导体制造过程中，经常会用到光刻胶。光刻胶在离子注入、刻蚀工艺中可以作为屏蔽层来实现对半导体器件某个膜层的离子注入或者刻蚀处理。一般来说，在离子注入或者刻蚀工艺完成后，需要将光刻胶去除。对于在不同工艺过程受到不同影响光刻胶、不同厚度的光刻胶，其去除难度不同，比如去除时间、去除温度、去除方式各不不同。

比如，经过离子注入的光刻胶，其去除难度会相应增加，并且经过越大剂量注入后的光刻胶去除难度越大，因此一般需要通过去除测试(比如干法或者湿法去除测试)来确认光刻胶的去除工艺条件。又如，不同厚度的光刻胶，针对同一种离子注入剂量的条件，光刻胶去除难度也不同，并且去除时间与光刻胶厚度不成线性关系变化；因此，同样的，需要通过光刻胶的去除测试来确认光刻胶的去除工艺条件。影响上述光刻胶去除工艺条件的因素包括离子注入剂量、离子注入能量、光刻胶厚度，并且一般需要做交叉实验。

再如，用作刻蚀屏蔽膜层的光刻胶，经过刻蚀处理后，对于不同厚度的光刻胶，其去除工艺条件也需要通过光刻胶的去除测试来进行确认。影响经过刻蚀处理的光刻胶去除工艺条件的因素包括刻蚀条件和光刻胶厚度等，同样的，在这样情况下也需要做交叉实验。

另外，对于光刻胶去除设备(比如干法去除设备或者湿法去除设备)，因为存在设备工艺稳定性变化，也需要对其去胶能力进行监控测试，其影响因素包括去除时间、去除温度、光刻胶厚度等，同样也需要做交叉实验。

对于这几大类情况，因为都涉及到不同厚度的光刻胶这个因素，所以实验条件组合就会很多，使得实验成本过大，实验过程繁琐。

有鉴于此，有必要提供一种光刻胶去除工艺的测试方法，以解决现有技术存在的上述问题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种光刻胶去除工艺的测试方法。

本发明提供的光刻胶去除工艺的测试方法，包括：在半导体衬底涂覆第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖所述半导体衬底的整个表面；在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶，其中所述多层光刻胶均为环状结构且具有不同环宽，且与所述第一光刻胶形成具有多个台阶图形的光刻胶多级台阶结构；对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形的光刻胶厚度进行测量；在所述光刻胶多级台阶结构进行半导体工艺处理，并对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形进行光刻胶去除工艺测试。

作为在本发明提供的光刻胶去除工艺的测试方法的一种改进，在一种优选实施例中，在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶的步骤包括：在所述第一光刻胶表面涂布第二光刻胶，其中所述第二光刻胶为环状结构，其覆盖所述第一光刻胶除中间部分以外的其他区域。

作为在本发明提供的光刻胶去除工艺的测试方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均采用旋涂式工艺进行涂覆而成，且所述第一光刻胶涂覆时光刻胶喷嘴的起始位置位于所述半导体衬底的中心，而所述第二光刻胶涂覆时所述光刻胶喷嘴的起始位置偏离所述半导体衬底中心第一预定距离。

作为在本发明提供的光刻胶去除工艺的测试方法的一种改进，在一种优选实施例中，所述第一预定距离为10毫米。