[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成半导体薄膜、金属薄膜，并形成第一光刻胶层；

采用单色调掩膜板对所述第一光刻胶层进行曝光，显影后对所述金属薄膜进行刻蚀，形成源漏金属层；对显影后剩余的所述第一光刻胶层进行灰化，使剩余的所述第一光刻胶层的边缘位于所述源漏金属层的边缘以内；

对所述半导体薄膜进行干法刻蚀，形成半导体层，使得所述源漏金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底上的正投影；所述源漏金属层包括数据线和与所述数据线连接的金属电极；所述源漏金属层的材料包括Cu；

在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，形成未进行图案化的透明导电薄膜，并在所述透明导电薄膜上形成第二光刻胶层；

采用半色调或灰色调掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；

所述光刻胶完全保留部分与待形成的第一透明电极对应，所述第一透明电极为像素电极；

所述光刻胶半保留部分与所述数据线、待形成的源极和漏极对应；

所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应，所述其他区域至少包括待形成的所述源极和所述漏极之间的区域，所述待形成的所述源极和所述漏极之间的区域位于所述半导体层上方；

对所述透明导电薄膜和所述源漏金属层进行刻蚀，在光刻胶完全保留部分形成作为所述像素电极的所述第一透明电极、去除位于所述光刻胶完全去除部分对应的区域的透明导电薄膜，所述去除的透明导电薄膜包括所述源极和所述漏极之间的区域的上方区域，去除所述源极和所述漏极之间的区域露出下方的半导体层，同时保留光刻胶半保留部分对应的所述数据线、所述源极和所述漏极上方的透明电极保留图案；

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；

对所述透明电极保留图案进行刻蚀，以去除所述数据线、所述源极和所述漏极上方的透明电极保留图案；

去除所述光刻胶完全保留部分，保留所述像素电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层包括a-si层和n+a-si层；

采用刻蚀工艺对所述透明电极保留图案进行刻蚀之后，去除所述光刻胶完全保留部分之前，所述方法还包括：对n+a-si层进行刻蚀，形成欧姆接触层。

3.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：通过权利要求1-2任一项所述阵列基板的制备方法形成阵列基板。

4.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为利用权利要求1所述的阵列基板的制备方法所制备的阵列基板，包括：衬底、设置于所述衬底上的半导体层、源极、漏极、数据线、第一透明电极、钝化层和第二透明电极；

所述源极在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层与所述源极对应的部分在所述衬底上的正投影，所述漏极在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层与所述漏极对应的部分在所述衬底上的正投影，所述数据线在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层与所述数据线对应的部分在所述衬底上的正投影；

其中，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极，所述第一透明电极与所述漏极连接；所述第二透明电极覆盖所述数据线。

5.一种显示面板，包括权利要求4所述的阵列基板。