[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法

说明书

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域，可改善由于工艺原因导致的产品设计余量减小的问题。一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上通过一次构图工艺形成图案形状相同的半导体层和源漏金属层，所述源漏金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底上的正投影；所述源漏金属层包括数据线和与所述数据线连接的金属电极；在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺至少形成第一透明电极，并形成沟道区，所述沟道区使所述金属电极形成源极和漏极，所述源极与所述数据线连接。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在显示领域中占据了主导地位。

液晶显示器中的液晶显示面板包括阵列基板、对盒基板以为位于二者之间的液晶层。阵列基板作为液晶显示器的核心，其制备工艺一直以来都都到广泛关注。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法，可改善由于工艺原因导致的产品设计余量减小的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上通过一次构图工艺形成图案形状相同的半导体层和源漏金属层，所述源漏金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底上的正投影；所述源漏金属层包括数据线和与所述数据线连接的金属电极；在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺至少形成第一透明电极，并形成沟道区，所述沟道区使所述金属电极形成源极和漏极，所述源极与所述数据线连接。

优选的，在衬底上通过一次构图工艺形成所述半导体层和所述源漏金属层，包括：依次形成半导体薄膜、金属薄膜，并形成第一光刻胶层；采用单色调掩膜板对所述第一光刻胶层进行曝光，显影后对所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述源漏金属层；对显影后剩余的所述第一光刻胶层进行灰化，使剩余的所述第一光刻胶层的边缘位于所述源漏金属层的边缘以内；对所述半导体薄膜进行干法刻蚀，形成所述半导体层。

优选的，在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺形成第一透明电极，并形成沟道区，包括：在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，形成透明导电薄膜，并形成第二光刻胶层；采用半色调或灰色调掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与待形成的所述第一透明电极对应，所述光刻胶半保留部分与所述数据线、待形成的所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应；对所述透明导电薄膜和所述源漏金属层进行刻蚀，形成所述第一透明电极、所述沟道区，同时形成位于所述数据线、所述源极和所述漏极上方的透明电极保留图案；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分；对所述透明电极保留图案进行刻蚀，以去除所述透明电极保留图案；去除所述光刻胶完全保留部分。

进一步可选的，所述半导体层包括a-si层和n⁺a-si层；采用刻蚀工艺对所述透明电极保留图案进行刻蚀之后，去除所述光刻胶完全保留部分之前，所述方法还包括：对n⁺a-si层进行刻蚀，形成欧姆接触层。

优选的，所述源漏金属层的材料包括Cu。

优选的，在形成有所述第一透明电极的衬底上，形成钝化层和第二透明电极；其中，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极，所述第一透明电极与所述漏极连接；所述第二透明电极覆盖所述数据线；或者，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极，所述第二透明电极通过过孔与所述漏极连接；所述方法还包括形成与所述第二透明电极同层且绝缘的保留图案，所述保留图案覆盖所述数据线。