[发明专利]一种汞离子传感器、制备方法及应用

权利要求书

1.一种汞离子传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、首先将二硫化钼纳米材料溶于有机溶剂，得到二硫化钼溶液，其浓度为0.01-10mg/ml；

B、将表面等离激元共振传感器芯片浸泡在所述二硫化钼溶液中，浸泡时间为0.01-48小时，然后去除没有吸附的二硫化钼，最终得到汞离子传感器。

2.根据权利要求1所述的汞离子传感器的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇。

3.根据权利要求1所述的汞离子传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，使用去离子水去除没有吸附的二硫化钼。

4.根据权利要求1所述的汞离子传感器的制备方法，其特征在于，所述二硫化钼纳米材料按如下步骤制备：

在二甲基甲酰胺溶液中加入硫代钼酸铵粉末，然后在预定温度条件下反应一段时间，最后进行清洗并蒸干得到二硫化钼纳米材料粉末。

5.根据权利要求1所述的汞离子传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，对二硫化钼溶液进行超声分散，得到分散后的二硫化钼溶液。

6.根据权利要求1所述的汞离子传感器的制备方法，其特征在于，所述表面等离激元共振传感器芯片按如下步骤制备：

在玻璃或者石英表面镀制金膜。

7.根据权利要求6所述的汞离子传感器的制备方法，其特征在于，所述金膜厚度为20-60纳米。

8.一种汞离子传感器，其特征在于，采用如权利要求1～7任一项所述的制备方法制成。

9.一种如权利要求8所述的汞离子传感器的应用，其特征在于，将所述汞离子传感器应用于检测汞离子浓度。

10.根据权利要求9所述的汞离子传感器的应用，其特征在于，将含有汞离子的溶液加入到装有汞离子传感器的样品池中，并测试表面等离激元共振光谱曲线，确定共振峰位的变化，根据所述变化确定汞离子浓度。