[发明专利]一种汞离子传感器、制备方法及应用

说明书

本发明公开一种汞离子传感器、制备方法及应用，制备方法包括以下步骤：A、首先将二硫化钼纳米材料溶于有机溶剂，得到二硫化钼溶液，其浓度为0.01‑10mg/ml；B、将表面等离激元共振传感器芯片浸泡在所述二硫化钼溶液中，浸泡时间为0.01‑48小时，然后去除没有吸附的二硫化钼，最终得到汞离子传感器。本发明充分利用二硫化钼纳米材料与汞离子较强的相互作用，当表面等离激元共振(SPR)传感器芯片表面溶液中存在汞离子时，使SPR光谱曲线向右移动，实现定量检测汞离子。本发明通过使用二硫化钼材料，增大汞离子的灵敏度，并降低了检测极限。

技术领域

本发明涉及汞离子检测技术领域，尤其涉及一种汞离子传感器、制备方法及应用。

背景技术

汞离子是一种毒性巨大的重金属离子，并且其可在人体内富集，导致多种严重的疾病，对孕妇和胎儿等的身体危害更为严重，发展一种有效的方法，来检测食品和饮用水中的汞离子浓度具有非常重要的意义。

现有技术中，检测汞离子的技术方法主要是：ICP-MS、荧光、原子发射等技术，现有技术存在的主要问题是：(1)成本高，(2)灵敏度低，(3)很难达到较低的检测极限。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种汞离子传感器、制备方法及应用，旨在解决现有检测方法灵敏度低、难以达到较低的检测极限的问题。

本发明的技术方案如下：

一种汞离子传感器的制备方法，其中，包括以下步骤：

A、首先将二硫化钼纳米材料溶于有机溶剂，得到二硫化钼溶液，其浓度为0.01-10mg/ml；

B、将表面等离激元共振传感器芯片浸泡在所述二硫化钼溶液中，浸泡时间为0.01-48小时，然后去除没有吸附的二硫化钼，最终得到汞离子传感器。

所述的汞离子传感器的制备方法，其中，所述有机溶剂为乙醇。

所述的汞离子传感器的制备方法，其中，所述步骤B中，使用去离子水去除没有吸附的二硫化钼。

所述的汞离子传感器的制备方法，其中，所述二硫化钼纳米材料按如下步骤制备：

在二甲基甲酰胺溶液中加入硫代钼酸铵粉末，然后在预定温度条件下反应一段时间，最后进行清洗并蒸干得到二硫化钼纳米材料粉末。

所述的汞离子传感器的制备方法，其中，所述步骤A中，对二硫化钼溶液进行超声分散，得到分散后的二硫化钼溶液。

所述的汞离子传感器的制备方法，其特征在于，所述表面等离激元共振传感器芯片按如下步骤制备：

在玻璃或者石英表面镀制金膜。

所述的汞离子传感器的制备方法，其中，所述金膜厚度为20-60纳米。

一种汞离子传感器，其中，采用如上任一项所述的制备方法制成。

一种如上所述的汞离子传感器的应用，其中，将所述汞离子传感器应用于检测汞离子浓度。

所述的汞离子传感器的应用，其中，将含有汞离子的溶液加入到装有汞离子传感器的样品池中，并测试表面等离激元共振光谱曲线，确定共振峰位的变化，根据所述变化确定汞离子浓度。

有益效果：本发明充分利用二硫化钼纳米材料与汞离子较强的相互作用，当表面等离激元共振(SPR)传感器芯片表面溶液中存在汞离子时，使SPR光谱曲线向右移动，实现定量检测汞离子。本发明通过使用二硫化钼材料，增大汞离子的灵敏度，并降低了检测极限。

附图说明

图1为本发明二硫化钼纳米材料的透射电子显微镜图片。