[发明专利]一种耐压半导体器件

权利要求书

1.一种耐压半导体器件，其特征在于，包括：

P型衬底；

隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；

N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；

P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；

N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；

源极，所述源极位于所述P型阱上；

漏极，所述漏极位于所述N型阱上；

氧化层，所述氧化层位于所述N型硅层上；

第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述氧化层、P型阱和N型阱；

第二介质层，所述第二介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述第一介质层，所述第二介质层上设有凹槽，所述凹槽内形成有栅极；

金属场板，所述金属场板跨设在所述栅极上，所述金属场板的截面形状为中间高两边低的阶梯形；

第三介质层，所述第三介质层位于所述栅极和金属场板之间，且所述金属场板的一端与源极连接，另一端搭接在所述第三介质层上；

其中，所述第一介质层内具有位于下层的多个半绝缘电阻极板和位于上层的多个导体场板，所述多个半绝缘电阻极板和所述多个导体场板均横向间隔排列，且任意一个所述半绝缘电阻极板与上层相邻的一个导体场板垂直连接，与上层相邻的另一个导体场板构成电容器，位于左右最外侧的两个导体场板分别与所述P型阱和N型阱垂直连接；所述第三介质层的介电常数大于4。

2.根据权利要求1所述的耐压半导体器件，其特征在于，所述多个半绝缘电阻极板设于所述氧化层上表面。

3.根据权利要求2所述的耐压半导体器件，其特征在于，相邻两个半绝缘电阻极板的间距为2微米。

4.根据权利要求1所述的耐压半导体器件，其特征在于，所述栅极的截面形状为T形。