[发明专利]使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法在审
申请号: | 201711318482.5 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN109917615A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 蔡佳君;杜佳峰 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学邻近效应修正 测试光掩模 布局图案 线图案 数据库 模型产生 光掩模 测试图案 几何参数 统计分析 长宽比 最佳化 晶片 测量 | ||
1.一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法,其特征在于,包括:
提供测试光掩模,所述测试光掩模具有特征四边形,依照尺寸与长宽比的变化而不同;
对所述特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案;
使用具有所述衬线图案的每一个所述测试光掩模,在晶片上形成多个测试图案;
测量与统计分析所述多个测试图案的至少一个几何参数,以决定出一特定衬线图案给每一个所述测试光掩模的所述角落;
建立光学邻近效应修正模型,包括每一个所述测试光掩模在所述角落的所述特定衬线图案;
接收一数据库布局图案;
使用所述光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案;
执行光学邻近效应修正流程,以对所述第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案;以及
根据所述第二数据库布局图案产生光掩模。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述衬线图案的变化是对应所述特征四边形的所述尺寸与所述长宽比而变化。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述衬线图案至少一层的结构。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述衬线图案是单层。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述衬线图案是双层。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述述特征四边形是正方形或是长方形,所述衬线图案包含直角弯折结构,与所述角落密合。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述衬线图案的变化包括综合线宽与线长的多种不同变化。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述特征四边形包含不同的多个长方形。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述多个长方形的每一个的所述每一个角落,加入多种不同的所述衬线图案。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述特征四边形包含不同形状的正方形。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述多个正方形的每一个的所述每一个角落,加入多种不同的所述衬线图案。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在提供测试光掩模的所述步骤中,所述测试光掩模的所述特征四边形的数量是多个,以二维方式分布。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少一个几何参数包括所述特征四边形在预定位置的横截宽度。
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