[发明专利]使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法

说明书

一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法，包括提供测试光掩模，该测试光掩模具有特征四边形，依照尺寸与长宽比的变化而不同。对该特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案。使用具有衬线图案的每一个该测试光掩模，在晶片上形成多个测试图案。测量与统计分析该多个测试图案的至少一个几何参数，以决定出一特定衬线图案给每一个该测试光掩模的该角落。建立光学邻近效应修正模型，包括每一个该测试光掩模在该角落的该特定衬线图案。接收一数据库布局图案。使用光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案。执行光学邻近效应修正流程，以对该第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案。根据第二数据库布局图案产生光掩模。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术，且特别是关于使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法。光学邻近效应修正(optical proximity correction)，也下也简称为OPC。

背景技术

半导体元件的结构的形成一般需要光刻与蚀刻的程序来达成，其中光刻技术需要具有图案的光掩模，利用光源将图案转移到晶片上的结构层，来形成蚀刻掩模。再以蚀刻掩模，对结构层蚀刻而完成所要的结构。

随着半导体集成电路的尺寸的日渐缩小的趋势，其中的半导体元件的尺寸也对应缩小。相对应的需求，要产生其所包含的微小结构的光掩模，其图案也要缩小。然而基于光学绕射的效应，当从光掩模的图案被转到晶片上时会变形，其中例如直角形状的角落无可避免会被弧形化，而趋向圆形角落。

为了微小结构能构更准确地在晶片上完成，其理想的光掩模图案会利用OPC的机制进修正，其中理想光掩模图案会被转移到晶片，且对晶片上的图案的关键尺寸进行测量，而得到对光掩模图案所需要的修正。

然而当光掩模的图案是二维分布时，测量关键尺寸会有较大误差。这种误差会影响OPC模型的建立，导致最后即使通过OPC对实际用于生产的光掩模的图案做修正，其OPC模型也存在有不可忽略的误差。

因此，如何建立较佳的OPC模型是技术研发中所需要考虑的课题其一，以期能对光掩模图案做更准确的修正效果。

发明内容

本发明是关于使用OPC模型产生光掩模的方法，利用对对OPC模型的改良，可以有较大的测量准确度，使得光掩模的图案，通过OPC模型会有较佳的准确度。

依据本发明一实施例，一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法，包括提供测试光掩模，所述测试光掩模具有特征四边形，依照尺寸与长宽比的变化而不同。对所述特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案。使用具有所述衬线图案的每一个所述测试光掩模，在晶片上形成多个测试图案。测量与统计分析所述多个测试图案的至少一个几何参数，以决定出一特定衬线图案给每一个所述测试光掩模的所述角落。建立光学邻近效应修正模型，包括每一个所述测试光掩模在所述角落的所述特定衬线图案。接收一数据库布局图案。使用所述光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案。执行光学邻近效应修正流程，以对所述第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案。根据所述第二数据库布局图案产生光掩模。

依据本发明一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案的变化是对应所述特征四边形的所述尺寸与所述长宽比而变化。

依据本发明一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案至少一层的结构。

依据本发明一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案是单层。

依据本发明一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案是双层。

依据本发明一实施例，对于所述的方法，所述述特征四边形是正方形或是长方形，所述衬线图案包含直角弯折结构，与所述角落密合。

依据本发明一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案的变化包括综合线宽与线长的多种不同变化。

依据本发明一实施例，对于所述的方法，所述特征四边形包含不同的多个长方形。