[发明专利]抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标

权利要求书

1.一种抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述抗冷反射红外靶标制备方法包括：

步骤一，在多晶硅基底（10）上涂覆负性光刻胶层（20）；

步骤二，通过掩模板（30）对表面涂覆有所述负性光刻胶层（20）的所述多晶硅基底（10）进行曝光，所述掩模板（30）具有与待成型的靶标孔形状相同的透光孔；

步骤三，对曝光后的表面涂覆有所述负性光刻胶层（20）的所述多晶硅基底（10）进行显影处理，以获取表面具有靶标孔形的负性光刻胶层（20）的多晶硅基底（10）；

步骤四，对表面具有靶标孔形的负性光刻胶层（20）的多晶硅基底（10）进行电腐蚀以获取表面具有抗反射层（40）和靶标孔形的负性光刻胶层（20）的多晶硅基底（10）；

步骤五，在所述抗反射层（40）和靶标孔形的负性光刻胶层（20）上均涂覆一层膜层（50），所述膜层（50）用于保护所述抗反射层（40）；

步骤六，除去所述多晶硅基底（10）上的靶标孔形的负性光刻胶层（20）以及设置在所述靶标孔形的负性光刻胶层（20）上的所述膜层（50），以获取抗冷反射红外靶标。

2.根据权利要求1所述的抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述多晶硅基底（10）的厚度大于100微米，所述负性光刻胶层（20）的厚度大于15微米。

3.根据权利要求1所述的抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述步骤二具体包括：照明光路依次经过掩模板（30）和投影光学系统，将所述掩模板（30）的图形投影到所述多晶硅基底（10）表面的所述负性光刻胶层（20）上。

4.根据权利要求1所述的抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述步骤三具体包括：将显影液覆盖在所述多晶硅基底 表面的所述负性光刻胶层（20）上，以获取表面具有靶标孔形的负性光刻胶层（20）的多晶硅基底（10）。

5.根据权利要求1所述的抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述步骤四具体包括：将表面具有靶标孔形的负性光刻胶层（20）的多晶硅基底（10）浸没在电腐蚀液中，通过控制电腐蚀的温度以及电压控制所述多晶硅基底（10）的腐蚀程度，以获取表面具有抗反射层（40）和靶标孔形的负性光刻胶层（20）的多晶硅基底（10）。

6.根据权利要求5所述的抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述电腐蚀的温度范围为20℃至30℃，所述电腐蚀的电压为10V至30V。

7.根据权利要求1所述的抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述膜层（50）包括碳膜膜层，所述碳膜膜层的厚度小于所述负性光刻胶层（20）的厚度。

8.根据权利要求7所述的抗冷反射红外靶标制备方法，其特征在于，所述碳膜膜层的厚度为5μm至10μm。

9.一种抗冷反射红外靶标，其特征在于，所述抗冷反射红外靶标使用如权利要求1至8中任一项所述的抗冷反射红外靶标制备方法制作。

10.根据权利要求9所述的抗冷反射红外靶标，其特征在于，所述抗冷反射红外靶标具有靶标孔，所述靶标孔包括圆孔、矩形孔或十字孔，所述圆孔的直径、所述矩形孔的线宽以及所述十字孔的线宽均小于10微米。