[发明专利]抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标有效

专利信息
申请号: 201711319998.1 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN109917617B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 张鑫;吴柯萱;魏树弟;王志;杜继东;何立平;张林军 申请(专利权)人: 北京振兴计量测试研究所
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G01M11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100074 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 反射 红外 靶标 制备 方法
【说明书】:

发明提供了一种抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标,该抗冷反射红外靶标制备方法包括:步骤一,在多晶硅基底上涂覆负性光刻胶层;步骤二,通过掩模板对表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行曝光;步骤三,对曝光后的表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行显影处理;步骤四,对表面具有靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底进行电腐蚀;步骤五,在抗反射层和靶标孔形的负性光刻胶层上均涂覆一层膜层;步骤六,除去多晶硅基体上的靶标孔形的负性光刻胶层以及设置在靶标孔形的负性光刻胶层上的膜层,以获取抗冷反射红外靶标。应用本发明的技术方案,以解决现有技术中靶标表面反射率较高,容易产生冷反射现象的技术问题。

技术领域

本发明涉及靶标制备的技术领域,尤其涉及一种抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标。

背景技术

随着国际环境的变化,航天技术的迅猛发展,基于红外成像技术的星载和机载红外遥感、遥测系统等设备的使用越来越广泛,精度要求越来越高,对红外制导和红外成像制导系统的目标识别及目标跟踪的技术要求也越来越高。为了在红外探测系统的设计和研制阶段真实客观地评估各种红外成像设备的性能,对测试这类设备的红外目标模拟器的分辨率提出了更高的要求,对作为红外目标模拟器关键部件的红外靶标,提出了最小线宽、最小圆孔尺寸50μm以下的要求。传统的机械加工方式无法满足这些加工精度要求,需要采用光刻加工来实现。目前光刻加工的高精度红外微小靶标表面反射率较高,会产生严重的冷反射现象。

冷反射现象是指由于靶标表面发生反射,接收到探测器及周围低温腔冷环境的影像,该影像辐射强度随视场大小变化,成为不可滤掉的噪声信号叠加在景物信号上,在热图像的视场中形成黑斑,严重影响红外目标模拟器的性能。

发明内容

本发明提供了一种抗冷反射红外靶标制备方法及抗冷反射红外靶标,能够解决现有技术中靶标表面反射率较高,容易产生冷反射现象的技术问题。

根据本发明的一方面,提供了一种抗冷反射红外靶标制备方法,抗冷反射红外靶标制备方法包括:步骤一,在多晶硅基底上涂覆负性光刻胶层;步骤二,通过掩模板对表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行曝光,掩模板具有与待成型的靶标孔形状相同的透光孔;步骤三,对曝光后的表面涂覆有负性光刻胶层的多晶硅基底进行显影处理,以获取表面具有靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底;步骤四,对表面具有靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底进行电腐蚀以获取表面具有抗反射层和靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底;步骤五,在抗反射层和靶标孔形的负性光刻胶层上均涂覆一层膜层,膜层用于保护抗反射层;步骤六,除去多晶硅基体上的靶标孔形的负性光刻胶层以及设置在靶标孔形的负性光刻胶层上的膜层,以获取抗冷反射红外靶标。

进一步地,在步骤一中,多晶硅基底的厚度大于100微米,负性光刻胶层的厚度大于15微米。

进一步地,步骤二具体包括:照明光路依次经过掩模板和投影光学系统,将掩模板的图形投影到多晶硅基底表面的负性光刻胶层上。

进一步地,步骤三具体包括:将显影液覆盖在多晶硅基体表面的负性光刻胶层上,以获取表面具有靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底。

进一步地,步骤四具体包括:将表面具有靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底浸没在电腐蚀液中,通过控制电腐蚀的温度以及电压可以控制多晶硅基底的腐蚀程度,以获取表面具有抗反射层和靶标孔形的负性光刻胶层的多晶硅基底。

进一步地,电腐蚀的温度范围为20℃至30℃,电腐蚀的电压为10V至30V。

进一步地,膜层包括碳膜膜层,碳膜膜层的厚度小于负性光刻胶层的厚度。

进一步地,碳膜膜层的厚度为5μm至10μm。

根据本发明的另一方面,提供了一种抗冷反射红外靶标,抗冷反射红外靶标使用如上所述的抗冷反射红外靶标制备方法制作。

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