[发明专利]X光散射测量的方法

权利要求书

1.一种X光散射测量的方法，包括：

形成一测试键，包括：

形成一第一多个半导体条；

将该第一多个半导体条切割成一第二多个半导体条的一阵列，其中该阵列的每一列是由该第一多个半导体条中的一条形成；

在位在该第二多个半导体条之间的凹陷内形成一隔离区；

将该隔离区凹陷，其中该第二多个半导体条的顶部凸出高于该隔离区，以形成多个半导体鳍片，且所述多个半导体鳍片形成一鳍片阵列；

在所述多个半导体鳍片上方形成一层间介电层；

在该层间介电层中形成多个凹陷的一阵列，以露出部分的所述多个半导体鳍片；以及

将一X光束投射在该测试键上；以及

从该测试键散射的散射X光束得到一绕射图案，

其中该测试键是一复合测试键，包括：

多个子测试键，其中每一个子测试键包括所述多个半导体鳍片，形成一子阵列；以及

多个半导体鳍片的多个随机图案，填入所述多个子测试键之间的多个空隙，其中通过随机地移除所述多个子测试键之间的所述多个空隙中的所述多个半导体鳍片的一部分，形成所述多个随机图案。

2.如权利要求1所述的X光散射测量的方法，其中使用一制造技术形成该第一多个半导体条及该第二多个半导体条，且在同一列中的该第二多个半导体条的间隔是该制造技术的最小间隔。

3.如权利要求1所述的X光散射测量的方法，其中该第一多个半导体条具有一致的间距。

4.如权利要求1所述的X光散射测量的方法，其中该阵列具有在该鳍片阵列的各列之间的第一均等间距，以及在该鳍片阵列的各行之间的第二均等间距。

5.如权利要求1所述的X光散射测量的方法，还包括从该绕射图案中决定一参数，该参数选自于所述多个半导体鳍片的间距、所述多个半导体鳍片的宽度以及所述多个半导体鳍片的高度。

6.如权利要求1所述的X光散射测量的方法，其中形成该测试键还包括：

形成多个栅极结构覆盖所述多个半导体鳍片的第一部分；以及

蚀刻所述多个半导体鳍片延伸在所述多个栅极结构之外的第二部分，以形成所述多个凹陷。

7.如权利要求1所述的X光散射测量的方法，其中形成该测试键还包括：

形成一高介电常数介电层延伸至所述多个凹陷的阵列内。

8.如权利要求7所述的X光散射测量的方法，其中形成该测试键还包括在该高介电常数介电层上方形成一金属层。

9.如权利要求1所述的X光散射测量的方法，其中该测试键具有非矩形的轮廓线。

10.一种X光散射测量的方法，包括：

形成多个半导体鳍片的一阵列，其中所述多个半导体鳍片具有相同长度，且该阵列具有多个列及多个行；

在所述多个半导体鳍片上方形成多个额外部件，其中所述多个额外部件包括至少多个行，且所述多个行的每一行都在所述多个半导体鳍片的一行上方，其中形成所述多个额外部件包括：

在所述多个半导体鳍片上方形成一层间介电层；

蚀刻该层间介电层以形成延伸至该层间介电层内的额外凹陷阵列；以及

从所述多个半导体鳍片的该阵列及所述多个额外部件得到一X光绕射图案，

其中所述多个半导体鳍片的该阵列及所述多个额外部件是一测试键的一部分，且该测试键包括：

多个子测试键，其中每一个子测试键包括所述多个半导体鳍片的一子阵列；以及

多个半导体鳍片的多个随机图案，填入所述多个子测试键之间的多个空隙，其中通过随机地移除所述多个子测试键之间的所述多个空隙中的所述多个半导体鳍片的一部分，形成所述多个随机图案；以及从该X光绕射图案决定所述多个额外部件的尺寸。

11.如权利要求10所述的X光散射测量的方法，其中形成所述多个额外部件包括形成多个栅极结构，每一个栅极结构延伸遍及所述多个半导体鳍片的整个行。