[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

本发明公开一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，所述阵列基板包括层叠设置在基底上的遮光层和有源层，所述遮光层位于靠近所述基底的一侧，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述有源层在所述基底上的正投影；所述遮光层为黑色有机物材料。本发明实施例的阵列基板，在基底上设置有遮光层和有源层，遮光层设置在靠近基底的一侧，且遮光层在基底上的正投影覆盖有源层在基底上的正投影，使遮光层可以完全遮挡有源层，防止光照对有源层产生影响，且本发明实施例的遮光层采用黑色有机物材料，不导电，可以直接设置在基底上，并在其上方形成阵列基板的其他结构，不用增加过孔和换层而多占布局空间，工艺简单，遮光效果好，且易于实现高PPI。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

金属氧化物半导体因其具有工艺均匀性佳、低漏电、高迁移率等优势，目前被广泛应用于显示装置中。但是金属氧化物半导体受光照后易影响其性能，尤其是当其受到光照后，使得显示装置中的沟道内载流子密度增加，使得TFT的阈值电压向负值方向变化，且这种变化的不确定性以及不完全恢复等特性，使得金属氧化物半导体在显示装置的应用中受到局限。

目前金属氧化物半导体用于阵列基板的有源层，主要通过遮光的方式避免其受到外界光照影响，底栅结构一般是利用自身的栅极金属作为遮光层，顶栅结构一般是增加一层金属作为遮光层。二者均存在很大缺陷，前者用栅极金属作为遮光层，遮光效果差，侧向光以及反射光都为照射到有源层，而由于设计的局限性，又不能将栅极做的太大，如果增加金属层作为遮光层，结构复杂不利于良率；后者通过增加金属层作为遮光层，遮光金属层不能悬空，必选连接到某一电位，以防止静电不良，这就必然需要增加过孔以连接金属遮光层至某一电位，且有源层需要导体化部分不能爬过遮光金属层的边界，防止影响导体化效果，这样又增加了过孔和换层处，布局空间浪费较多，结构复杂不利于良率。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，以解决现有技术中遮光层设计结构复杂利于良率的问题。

第一方面，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括层叠设置在基底上的遮光层和有源层，所述遮光层位于靠近所述基底的一侧，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述有源层在所述基底上的正投影；

所述遮光层为黑色有机物材料。

可选地，在所述遮光层与所述有源层之间还设置有绝缘层。

可选地，所述遮光层位于所述阵列基板的非开口区域。

可选地，所述遮光层的材料为光阻树脂类材料。

可选地，所述阵列基板为AMOLED型的底发射结构的阵列基板。

第二方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。

第三方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

第四方面，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

提供基底；

在所述基底上依次图案化形成遮光层和有源层；

其中，所述遮光层位于靠近所述基底的一侧，所述遮光层在所述基底上的正投影覆盖所述有源层在所述基底上的正投影，所述遮光层为黑色有机物材料。

可选地，所述在所述基底上依次图案化形成遮光层和有源层还包括：

在所述基底上图案化形成遮光层；

在所述遮光层上图案化形成绝缘层；

图案化形成有源层。

可选地，所述遮光层位于所述阵列基板的非开口区域。