[发明专利]半导体功率器件的超结结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述超结结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、位于所述N型外延中的所述第一沟槽下方的与所述第一沟槽连通的第三沟槽、位于所述N型外延中的所述第二沟槽下方的与所述第二沟槽连通的第四沟槽、位于所述第三沟槽与第四沟槽表面的P型掺杂区、位于所述第三、第四沟槽的所述P型掺杂区表面及所述第一及第二沟槽侧壁的氧化硅、形成于所述第一及第二沟槽的氧化硅表面的多晶硅、形成于所述N型外延表面所述第一及第二沟槽两侧的P型体区，形成于所述P型体区表面的N型注入区、形成于所述P型体区、所述N型注入区及所述第一、第二沟槽的氧化硅与多晶硅上方的介质层、及贯穿所述介质层且对应所述P型体区及所述N型注入区的部分的通孔，其中所述P型体区的P型离子的掺杂浓度比所述P型扩散层的P型离子的掺杂浓度高。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述超结结构还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述介质层远离所述P型体区一侧，所述第一金属层经由所述通孔连接所述P型体区及所述N型注入区。

3.如权利要求2所述的半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述超结结构还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述N型衬底远离所述N型外延的表面。

4.如权利要求1所述的半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述第一沟槽与第二沟槽的深度大于所述P型体区的深度。

5.如权利要求1所述的半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述第三沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度，所述第四沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。

6.如权利要求1所述的半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述第三沟槽邻近所述第一沟槽的部分的沟槽宽度大于所述第一沟槽的宽度，所述第三沟槽的沟槽宽度还沿着远离所述第一沟槽的方向逐渐减小；所述第四沟槽邻近所述第二沟槽的部分的沟槽宽度大于所述第二沟槽的宽度，所述第四沟槽的沟槽宽度还沿着远离所述第二沟槽的方向逐渐减小。

7.如权利要求1所述的半导体功率器件的超结结构，其特征在于：所述P型体区包括第一、第二及第三P型体区，所述第一P型体区设置于所述第一沟槽远离所述第二沟槽一侧且包括邻近所述第一沟槽设置的一个N型注入区，所述第二P型体区设置于所述第一沟槽与第二沟槽之间且包括分别邻近所述第一沟槽与第二沟槽的两个N型注入区，所述第三P型体区设置于所述第二沟槽远离所述第一沟槽的一侧且包括邻近所述第二沟槽设置的一个N型注入区，所述通孔包括第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述第一通孔对应所述第一P型体区及其表面的N型注入区的部分，所述第二通孔对应所述第二P型体区及其两个N型注入区的部分，所述第三通孔对应所述第三P型体区及其表面的N型注入区的部分。