[发明专利]半导体功率器件的超结结构及其制作方法

说明书

一种半导体功率器件的超结结构包括N型衬底、形成于N型衬底上的N型外延、形成于N型外延表面的第一、第二沟槽、位于N型外延中的第一沟槽下方的与第一沟槽连通的第三沟槽、位于N型外延中的第二沟槽下方的与第二沟槽连通的第四沟槽、位于第三沟槽与第四沟槽表面的P型掺杂区、位于第三、第四沟槽的P型掺杂区表面及第一及第二沟槽侧壁的氧化硅、形成于第一、第二沟槽的氧化硅表面的多晶硅、形成于N型外延表面第一及第二沟槽两侧的P型体区，形成于P型体区表面的N型注入区、形成于P型体区、N型注入区及第一、第二沟槽的氧化硅与多晶硅上方的介质层、及贯穿介质层且对应P型体区及N型注入区的部分的通孔。

【技术领域】

本发明涉及半导体器件技术领域，特别地，涉及一种半导体功率器件的超结结构及其制作方法。

【背景技术】

超结/半超结器件，如沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。

传统功率MOSFET通常采用VDMOS结构,为了承受高耐压,需降低漂移区掺杂浓度或者增加漂移区厚度,这带来的直接后果是导通电阻急剧增大。一般传统功率MOSFET的导通电阻与击穿电压呈2.5次方关系,这个关系被称为“硅极限”。“超结”VDMOS基于电荷补偿原理，使器件的导通电阻与击穿电压呈1.32次方关系,很好地解决了导通电阻和击穿电压之间的矛盾。和传统功率VDMOS结构相比,超结MOSFET采用交替的P-N-结构替代传统功率器件中低掺杂漂移层作为电压维持层。超结MOSFET的本质是利用在漂移区中插入的P区(对N沟器件而言)所产生的电场对N区进行电荷补偿,达到提高击穿电压并降低导通电阻的目的。

超结MOSFET的是利用复合缓冲层里面交替的N柱和P柱进行电荷补偿,使P区和N区相互耗尽，形成理想的平顶电场分布和均匀的电势分布，从而达到提高击穿电压并降低导通电阻的目的。要达到理想的效果，其前提条件就是电荷平衡。因此，超结技术从诞生开始，它的制造工艺就是围绕如何制造电荷平衡的N柱和P柱进行的。目前使用的制造技术主要有：多次外延和注入技术，深槽刻蚀和填槽技术。然而，如何提高半导体功率器件的超结结构的器件性能(如击穿电压等)、降低了器件制造难度和制造成本是业界的重要课题。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述至少一个技术问题而提供一种半导体功率器件的超结结构及其制作方法。

一种半导体功率器件的超结结构，其包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、位于所述N型外延中的所述第一沟槽下方的与所述第一沟槽连通的第三沟槽、位于所述N型外延中的所述第二沟槽下方的与所述第二沟槽连通的第四沟槽、位于所述第三沟槽与第四沟槽表面的P型掺杂区、位于所述第三、第四沟槽的所述P型掺杂区表面及所述第一及第二沟槽侧壁的氧化硅、形成于所述第一及第二沟槽的氧化硅表面的多晶硅、形成于所述N型外延表面所述第一及第二沟槽两侧的P型体区，形成于所述P型体区表面的N型注入区、形成于所述P型体区、所述N型注入区及所述第一、第二沟槽的氧化硅与多晶硅上方的介质层、及贯穿所述介质层且对应所述P型体区及所述N型注入区的部分的通孔，其中所述P型体区的P型离子的掺杂浓度比所述P型扩散层的P型离子的掺杂浓度高。

在一种实施方式中，所述超结结构还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述介质层远离所述P型体区一侧，所述第一金属层经由所述通孔连接所述P型体区及所述N型注入区。

在一种实施方式中，所述超结结构还包括第二金属层，所述第二金属层位于所述N型衬底远离所述N型外延的表面。

在一种实施方式中，所述第一沟槽与第二沟槽的深度大于所述P型体区的深度。

在一种实施方式中，所述第三沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度，所述第四沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。