[发明专利]存储系统及其错误校正方法有效

专利信息
申请号: 201711328380.1 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN108228381B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 李圣恩;权正贤;赵上球 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 李少丹;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储系统 及其 错误 校正 方法
【权利要求书】:

1.一种存储系统的错误校正方法,包括:

从多个存储芯片读取数据和错误校正码;

基于错误校正码来校正数据的错误;

判断在校正数据的错误中是否发生误校正;

当发生误校正时,将所述多个存储芯片之中的一个存储芯片指定为Chip-kill式存储芯片;

考虑到指定的Chip-kill式存储芯片而基于错误校正码来重新校正数据的错误;以及

重新判断在重新校正数据的错误中是否发生误校正,

其中,当在重新判断是否发生误校正中检测到误校正时,将所述多个存储芯片之中被指定为Chip-kill式存储芯片的存储芯片换为另一个存储芯片,以及然后重复进行对数据错误的重新校正和对是否发生误校正的重新判断。

2.如权利要求1所述的错误校正方法,还包括,当在判定是否发生误校正中未检测到误校正时,结束错误校正过程。

3.如权利要求2所述的错误校正方法,还包括,当在重新判断是否发生误校正中未检测到误校正时,将被指定为指定的Chip-kill式存储芯片的存储芯片确定为Chip-kill式存储芯片,并结束错误校正过程。

4.如权利要求1所述的错误校正方法,还包括从所述多个存储芯片读取误校正检测码,以及

其中,基于误校正检测码来执行判定是否发生误校正以及重新判定是否发生误校正。

5.如权利要求1所述的错误校正方法,其中,错误校正码包括里德索罗门RS方案的错误校正码、博斯-乔赫里-霍克文黑姆BCH方案的错误校正码和Turbo方案的错误校正码中的一个错误校正码。

6.一种存储系统,包括:

多个存储芯片,其适用于储存数据和错误校正码;

错误校正电路,其适用于从所述多个存储芯片读取数据和错误校正码,并且基于错误校正码来校正数据的错误;以及

误校正检测电路,其适用于检测在错误校正电路中是否发生误校正,

其中,当误校正检测电路检测到错误校正电路的误校正时,错误校正电路将所述多个存储芯片之中的一个存储芯片指定为Chip-kill式存储芯片,并且考虑到指定的Chip-kill式存储芯片而基于错误校正码来重新校正数据的错误,

其中,错误校正电路通过将所述多个存储芯片之中被指定为Chip-kill式存储芯片的存储芯片换为另一个存储芯片来重复地执行错误校正操作,直到检测到没有误校正。

7.如权利要求6所述的存储系统,其中,所述多个存储芯片还储存误校正检测码,以及

误校正检测电路基于误校正检测码来检测错误校正电路的误校正。

8.如权利要求6所述的存储系统,其中,错误校正码包括里德索罗门RS方案的错误校正码、博斯-乔赫里-霍克文黑姆BCH方案的错误校正码和Turbo算法的错误校正码中的一个错误校正码。

9.如权利要求6所述的存储系统,其中,错误校正电路将所述多个存储芯片之中的特定存储芯片指定为Chip-kill式存储芯片,并且当没有检测到误校正时,判定所述特定存储芯片为Chip-kill式存储芯片。

10.如权利要求6所述的存储系统,其中,错误校正电路和误校正检测电路被包括在存储器控制器中,以及

所述多个存储芯片被包括在存储模块中。

11.如权利要求6所述的存储系统,其中,在所述多个存储芯片中发生N个随机错误并且所述多个存储芯片之中的一个存储芯片为Chip-kill式存储芯片的情况下,存储系统能够校正错误,其中,N是大于或等于“1”的整数。

12.如权利要求11所述的存储系统,其中,在所述多个存储芯片中发生N个随机错误并且所述多个存储芯片之中的一个存储芯片为Chip-kill式存储芯片的情况下,在存储系统中所使用的错误校正码的比特数小于校正错误所需的错误校正码的比特数,而无需存储系统将所述多个存储芯片之中的一个存储芯片指定为Chip-kill式存储芯片,其中,N是大于或等于“1”的整数。

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