[发明专利]存储系统及其错误校正方法

说明书

一种存储系统的错误校正方法包括：从多个存储芯片读取数据和错误校正码；基于错误校正码来校正数据的错误；判断在校正数据错误中是否发生误校正；当发生误校正时将多个存储芯片之中的一个存储芯片指定为Chip‑kill式存储芯片；考虑到指定的Chip‑kill式存储芯片而基于错误校正码来重新校正数据的错误；以及重新判断在重新校正数据错误中是否发生误校正。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年12月14日提交的申请号为10-2016-0170454的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储系统。

背景技术

在半导体存储器件工业的早期阶段，在晶片上存在许多原本良好的裸片，这意味着存储芯片通过半导体制造过程被生产为无缺陷的存储单元。但是，随着存储器件容量的增加，制造不具有任何缺陷的存储单元的存储器件变得困难，并且现在，可以说，几乎不可能制造不具有任何缺陷的存储单元的存储器件。

为了解决这些限制，使用了一种修复方法，该方法包括在存储器件中添加冗余存储单元，并用冗余存储单元替换任何有缺陷的存储单元。

另一种解决方案采用错误校正电路(ECC)来校正存储系统中的错误。通常，ECC可以校正由于有缺陷的存储单元而发生的错误，也可以校正在存储系统的读取操作或写入操作中发生在数据的传输中的错误。

发明内容

本发明实施例针对一种提高存储系统中错误校正效率的技术。更具体地，本发明针对一种改进的错误校正方法以及采用该方法的存储系统。

根据本发明实施例，一种存储系统的错误校正方法包括：从多个存储芯片读取数据和错误校正码；基于错误校正码来校正数据的错误；判断在校正数据错误中是否发生误校正；当发生误校正时将多个存储芯片之中的一个存储芯片指定为Chip-kill式存储芯片；考虑到指定的Chip-kill式存储芯片而基于错误校正码来重新校正数据的错误；以及重新判断在重新校正数据错误中是否发生误校正。

当在重新判断是否发生误校正中检测到误校正时，利用另一个存储芯片来改变多个存储芯片之中被指定为Chip-kill式存储芯片的存储芯片，以及然后重复数据错误的重新校正和是否发生误校正的重新判断。

所述方法还可以包括当在判定是否发生误校正中未检测到误校正时，结束错误校正过程。

所述方法还可以包括当在重新判断是否发生误校正中未检测到误校正时，将被指定为指定的Chip-kill式存储芯片的存储芯片确定为Chip-kill式存储芯片，并结束错误校正过程。

所述方法还可以包括从多个存储芯片读取误校正检测码，以及其中，基于误校正检测码来执行判定是否发生误校正以及重新判定是否发生误校正。

错误校正码可以包括里德索罗门(RS)方案的错误校正码、博斯-乔赫里-霍克文黑姆(BCH)方案的错误校正码和Turbo方案的错误校正码中的一个错误校正码。

根据本发明另一实施例，一种存储系统包括：多个存储芯片，其适用于储存数据和错误校正码；错误校正电路，其适用于从多个存储芯片读取数据和错误校正码，并且基于错误校正码来校正数据的错误；以及误校正检测电路，其适用于检测在错误校正电路中是否发生误校正，其中，当误校正检测电路检测到错误校正电路的误校正时，错误校正电路将多个存储芯片之中的一个存储芯片指定为Chip-kill式存储芯片，并且考虑到指定的Chip-kill式存储芯片而基于错误校正码来重新校正数据的错误。

错误校正电路可以通过以多个存储芯片之中的另一个存储芯片来改变被将指定为Chip-kill式存储芯片的存储芯片来重复地执行错误校正操作，直到检测到没有误校正。