[发明专利]半超结FS IEGT结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711328973.8 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108091567B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;闫宏丽;刘鹏飞;杜忠鹏;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半超结 fs iegt 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.半超结FS IEGT结构的制造方法，其特征在于：
器件原胞设计采用半超结FS IEGT结构；
具体包括以下步骤：
步骤一：选取 N型FZ衬底；
步骤二：沟槽刻蚀并进行P型外延层的回填，并进行CMP工艺，形成间隔的P-和N-漂移区；
步骤三：沟槽刻蚀，生长栅氧及多晶硅并回刻；
步骤四：P-body注入并推阱及N+注入并推阱，两个Gate中间的P-body上无N+注入；
步骤五：层间介质淀积，并光刻形成接触孔；
步骤六：正面金属淀积和光刻，形成Emitter和Gate电极；
步骤七：背面减薄，进行FS层和P+注入，并激光退火；
步骤八：背面金属淀积，形成Collector电极，形成最终器件结构。
2.如权利要求1所述的半超结FS IEGT结构的制造方法制造的半超结FS IEGT结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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