[发明专利]一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法

权利要求书

1.一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法，应用在离子注入工艺中，其特征在于，提供一晶圆，所述晶圆的正面覆盖有一层光阻层，所述光阻层上附着有颗粒物，所述光阻层在去除后所述颗粒物掉落于所述晶圆上；

包括以下步骤：

步骤S1、向去除所述光阻层的所述晶圆的表面喷洒清洗溶液；

步骤S2、通过研磨清扫装置，对喷洒有所述清洗溶液的所述晶圆的正面进行清扫，以去除附着在所述晶圆上的所述颗粒物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻层为光刻胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过刻蚀工艺去除所述晶圆上的所述光阻层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供一执行研磨工艺的反应腔体，在所述反应腔体中执行所述步骤S1至S2中对所述晶圆喷洒所述清洗溶液以及通过所述研磨清洗装置对所述晶圆进行清扫的操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反应腔体中包括：

晶圆固定装置，所述晶圆固定装置用以吸附所述晶圆的背面使晶圆的正面朝下；

研磨盘，位于所述晶圆固定装置的下部，并朝向所述晶圆的正面。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨清扫装置为设置在所述研磨盘上的清洗刷。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述清洗刷的刷毛材质由多孔聚合物材质制成。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液为氨水。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，提供一离子注入设备对去除所述颗粒物之后的所述晶圆进行离子注入操作。