[发明专利]一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法

说明书

本发明提供了一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法，应用在离子注入工艺中，其中，提供一晶圆，所述晶圆的正面覆盖有一层光阻层，所述光阻层上附着有颗粒物，所述光阻层在去除后所述颗粒物掉落于所述晶圆上；包括以下步骤：步骤S1、向去除所述光阻层的所述晶圆的表面喷洒清洗溶液；步骤S2、通过研磨清扫装置，对喷洒有所述清洗溶液的所述晶圆的正面进行清扫，以去除附着在所述晶圆上的所述颗粒物。其技术方案的有益效果在于，通过研磨清扫装置可有效的去除附着在晶圆上的颗粒物，克服了现有技术中去除晶圆上的颗粒物存在的操作复杂且去除效率较低的缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法。

背景技术

在电子工业中，离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，其中高能离子注入工艺在高真空环境中执行的，但是机台在传送晶圆的过程中如果出现异常，在排查故障的过程中则会失去真空环境恢复至大气环境，而在大气环境中则存在颗粒物(这些颗粒物表示一些污染物如灰尘杂质等)这些颗粒物掉落于晶圆的表面之后，在去除晶圆上的光阻层进入离子注入工艺时，由于颗粒物附着在晶圆的表面，因此颗粒物会阻挡离子注入，进而影响最终形成的器件的性能，而现有技术中通过刻蚀工艺去除颗粒物，这种去除方式不仅操作复杂且去除的效率较低。

发明内容

针对现有技术中去除晶圆上的颗粒物存在的上述问题，现提供一种旨在实现操作简单，且快速有效的去除晶圆上颗粒物的方法。

具体技术方案如下：

一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法，应用在离子注入工艺中，其中，提供一晶圆，所述晶圆的正面覆盖有一层光阻层，所述光阻层上附着有颗粒物，所述光阻层在去除后所述颗粒物掉落于所述晶圆上；

包括以下步骤：

步骤S1、向去除所述光阻层的所述晶圆的表面喷洒清洗溶液；

步骤S2、通过研磨清扫装置，对喷洒有所述清洗溶液的所述晶圆的正面进行清扫，以去除附着在所述晶圆上的所述颗粒物。

优选的，所述光阻层为光刻胶。

优选的，通过刻蚀工艺去除所述晶圆上的所述光阻层。

优选的，提供一执行研磨工艺的反应腔体，在所述反应腔体中执行所述步骤S1至S2中对所述晶圆喷洒所述清洗溶液以及通过所述研磨清洗装置对所述晶圆进行清扫的操作。

优选的，所述反应腔体中包括：

晶圆固定装置，所述晶圆固定装置用以吸附所述晶圆的背面使晶圆的正面朝下；

研磨盘，位于所述晶圆固定装置的下部，并朝向所述晶圆的正面。

优选的，所述研磨清扫装置为设置在所述研磨盘上的清洗刷。

优选的，所述清洗刷的刷毛材质由多孔聚合物材质制成。

优选的，所述清洗溶液为氨水。

优选的，在所述步骤S2之后，提供一离子注入设备对去除所述颗粒物之后的所述晶圆进行离子注入操作。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过研磨清扫装置可有效的去除附着在晶圆上的颗粒物，克服了现有技术中去除晶圆上的颗粒物存在的操作复杂且去除效率较低的缺陷。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1为本发明一种对晶圆表面颗粒物进行去除的方法的实施例的流程图。

具体实施方式