[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一管芯，嵌入在模塑材料中，其中，所述第一管芯的接触焊盘邻近所述模塑材料的第一侧，其中，所述第一管芯具有多个导电柱，所述多个导电柱中的每一个电耦合至相应的所述接触焊盘；

再分布结构，在所述模塑材料的所述第一侧上方；

第一金属涂层，物理接触地沿所述第一管芯的侧壁，所述第一金属涂层设置在在所述第一管芯和所述模塑材料之间，所述多个导电柱中的第一导电柱电耦合到所述第一金属涂层，

其中，所述再分布结构包括电连接至所述第一金属涂层的通孔，所述通孔具有接近所述第一管芯的第一表面，所述通孔的所述第一表面物理接触所述第一导电柱和所述第一金属涂层；以及

第二金属涂层，沿所述模塑材料的侧壁并且在所述模塑材料的与所述第一侧相对的第二侧上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属涂层和所述第二金属涂层电连接至接地接触件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在截面图，所述通孔的所述第一表面的宽度大于所述第一金属涂层接触所述第一表面的接触面的宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述通孔具有沿着第一方向的第一尺寸以及沿着垂直于所述第一方向的第二方向的第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管芯是射频管芯。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，远离所述接触焊盘的所述多个导电柱的上表面与所述模塑材料的所述第一侧齐平。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二金属涂层电连接到所述再分布结构的导电线，其中，所述导电线暴露在所述再分布结构的侧壁上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括嵌入在所述模塑材料中且与所述第一管芯横向隔开的第二管芯，其中，所述第二管芯的接触焊盘电连接到所述再分布结构。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二管芯的侧壁不具有金属涂层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一管芯和所述第二管芯具有不同的功能。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一金属涂层从所述第一管芯的侧壁连续延伸到所述第二管芯的侧壁。

12.一种半导体器件，包括：

第一管芯，位于模塑层中；

第一再分布结构，在所述模塑层的第一侧上并且包括电连接至所述第一管芯的接触焊盘的导电线；

第二再分布结构，在所述模塑层的与所述第一侧相对的第二侧上；

第一导电结构，在所述模塑层中并且与所述第一管芯横向隔开，其中，所述第一导电结构包括：

第一介电区域，围绕所述第一管芯；以及

导电涂层，在所述第一介电区域的相对侧上；以及

通孔，在所述模塑层中，其中，所述通孔电连接至所述第一再分布结构的第一导电线和所述第二再分布结构的第二导电线。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述通孔包括：

第二介电区域；以及

在所述第二介电区域的侧壁上的第二导电涂层。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述通孔位于所述第一管芯和所述第一导电结构之间。

15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构电连接到所述第一再分布结构的至少一条导电线以及所述第二再分布结构的至少一条导电线。