[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括嵌入在模塑材料中的第一管芯，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑材料的侧壁并且在模塑材料的与第一侧相对的第二侧上的第二金属涂层。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。

优先权和交叉引用

本申请要求于2017年6月30日提交的题目为“Semiconductor Device withShield for Electromagnetic Interference”的美国临时专利申请第62/527,879号的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及半导体领域，并且更具体地，涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。

背景技术

由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成度的这种改进来自最小部件尺寸的不断减小，这允许更多的组件集成到给定区域内。随着最近对更小的电子器件的需求增长，对半导体管芯的更小和更有创意的封装技术的需求也已经增长。

这些封装技术的实例是叠层封装(POP)技术。在PoP封装中，在底部半导体封装件的顶部上堆叠顶部半导体封装件以允许高水平的集成和组件密度。另一个实施例是多芯片模块(MCM)技术，其中，在一个半导体封装件中封装多个半导体管芯以提供具有集成功能的半导器件。

先进的封装技术的高集成水平，使半导体器件的生产具有增强的性能和小的引脚，这对于小型设备(如移动电话、平板电脑和数字音乐播放器)是有利的。另一个优势是连接半导体封装件内互通部分的导电路径的长度缩短。由于电路之间更短的互连布线，产生了更快的信号传输以及降低的噪声和串扰，提高了半导体器件的电性能。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一管芯，嵌入在模塑材料中，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧；再分布结构，在模塑材料的第一侧上方；第一金属涂层，沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间；以及第二金属涂层，沿模塑材料的侧壁并且在模塑材料的与第一侧相对的第二侧上。

根据本发明的实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一管芯，位于模塑层中；第一再分布结构，在模塑层的第一侧上并且包括电连接至第一管芯的接触焊盘的导电线；第二再分布结构，在模塑层的与第一侧相对的第二侧上；第一导电结构，在模塑层中并且与第一管芯横向隔开，其中，第一导电结构包括：第一介电区域，围绕第一管芯；以及导电涂层，在第一介电区域的相对侧上；以及通孔，在模塑层中，其中，通孔连接至第一再分布结构的第一导电线和第二再分布结构的第二导电线。

根据本发明的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将第一管芯附接至载体，其中，第一管芯的正面上的接触焊盘背向于载体；在载体上方并且围绕第一管芯形成模塑材料；在远离载体的模塑材料的第一侧上方形成再分布结构，其中，再分布结构包括电连接至第一管芯的导电线，其中，再分布结构的第一导电部件暴露在再分布结构的侧壁处；剥离所述载体；以及沿着模塑材料的侧壁和模塑材料的与第一侧相对的第二侧形成第一导电涂层，其中，第一导电涂层电连接到再分布结构的第一导电部件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1至图2示出根据一些实施例的半导体管芯在不同制造阶段的截面图。

图3至图4示出根据一些实施例的在图2中示出的半导体管芯的放大图。