[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在沟道层和隔离绝缘层上方形成栅极结构；

在所述栅极结构的侧面上形成第一侧壁间隔件层；

形成牺牲层，使得具有所述第一侧壁间隔件层的所述栅极结构的上部从所述牺牲层暴露，并且具有所述第一侧壁间隔件层的所述栅极结构的底部嵌入到所述牺牲层中；

通过去除所述第一侧壁间隔件层的至少一部分，在所述栅极结构的底部和所述牺牲层之间形成间隔；以及

在去除所述第一侧壁间隔件层之后，通过在所述栅极结构上方形成第二侧壁间隔件层来在所述栅极结构的底部和所述牺牲层之间形成气隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述栅极结构的上部的侧面上不形成气隙。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述牺牲层之前，在所述第一侧壁间隔件层上方形成衬垫层，

其中，在所述衬垫层和所述栅极结构的底部之间形成所述间隔。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述气隙之后：

去除所述牺牲层；以及

形成层间介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括非晶硅。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第二侧壁间隔件层之前，至少在所述间隔中形成侧壁衬垫层，以便不完全填充所述间隔。

7.据权利要求1所述的方法，其中，所述第一侧壁间隔件层包括SiOCN。

8.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在鳍结构的沟道层和隔离绝缘层上方形成栅极结构；

在所述栅极结构的侧面上形成第一侧壁间隔件层，所述第一侧壁间隔件层包括主层；

在所述第一侧壁间隔件层上方形成第一衬垫层，

形成牺牲层，使得具有所述第一侧壁间隔件层和所述第一衬垫层的所述栅极结构的上部从所述牺牲层暴露，并且具有所述第一侧壁间隔件层和所述第一衬垫层的所述栅极结构的底部嵌入到所述牺牲层中；

通过去除所述第一侧壁间隔件层的所述主层在所述栅极结构的底部和所述第一衬垫层之间形成间隔；以及

在去除所述第一侧壁间隔件层之后，通过形成第二侧壁间隔件层在所述栅极结构的底部和所述第一衬垫层之间形成气隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述牺牲层，使得所述鳍结构也嵌入到所述牺牲层中。

10.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第一侧壁间隔件层还包括一个或多个子层，每个所述子层由与所述主层不同的材料制成，

在所述栅极结构的侧面上形成一个或多个所述子层中的一个，以及

在设置在所述栅极结构的底部上的一个或多个所述子层中的一个和所述第一衬垫层之间形成所述间隔。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述主层比一个或多个所述子层中的每个更厚。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述主层由选自由氧化硅、氮化硅、SiOCN和绝缘金属氧化物构成的组中的一种制成。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，一个或多个所述子层由SiOCN制成。

14.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第一侧壁间隔件层还包括设置在所述栅极结构上的第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层中的每个由与所述主层不同的材料制成，

所述主层设置在所述第一子层和所述第二子层之间，以及

在设置在所述栅极结构的底部上的所述第一子层和所述第一衬垫层之间形成所述间隔。