[发明专利]ITO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711341683.7 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108048796A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 崔鸽;洪承健;何永才;董刚强;郁操;徐希翔;李沅民 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;解立艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，制备步骤包括：
向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气，并通过磁控溅射工艺形成ITO薄膜。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在制备ITO薄膜的过程中，控制通入水汽的量保持恒定。
3.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，在制备ITO薄膜的过程中，控制通入水汽的量随时间变化。
4.根据权利要求3所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，通入的水汽的量随时间的增长而递减。
5.根据权利要求4所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，通入的水汽的量在预设的水汽分压范围值内递减。
6.根据权利要求5所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述预设的水汽分压范围值为6×10
7.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气具体包括：
向工艺腔室中通入恒定量的氧气和氩气，且氧气的量和氩气的量之间具有设定的比例关系；
向工艺腔室中通入水汽，通入水汽的量随时间的增长而递减。
8.根据权利要求7所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，氧气的量和氩气的量之间的比例大于0且小于等于1/70。
9.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，用于制备所述ITO薄膜的工艺腔室的真空度为5×10
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