[发明专利]ITO薄膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气；通过磁控溅射工艺形成ITO薄膜。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在ITO薄膜制备过程中引入水汽，提高了ITO薄膜有效透过率、迁移率等电学性能和光学性能，同时增加了使用该ITO薄膜的异质结太阳能电池的短路电流，提升了电池的光电转化效率。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池技术领域，尤其涉及一种ITO薄膜的制备方法。

背景技术

氧化铟锡薄膜(ITO)由于具有低电阻率、高可见光透过率等优良的物理特性，被广泛应用于HJT太阳能电池的透明导电薄膜层。ITO薄膜的光学和电学性能的好坏，直接关系着HJT太阳能电池的短路电流，进而影响着电池的转换效率。在现有技术中，一般通过磁控溅射的方式制备ITO薄膜，在制备过程中通常要向工艺腔室中通入氧气和氩气，但通过这种方式沉积出的ITO的短路电流较弱，电池的光电转化效率较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种ITO薄膜的制备方法，以解决上述现有技术中的问题，提高短路电流，提升电池的光电转化效率。

本发明提供了一种ITO薄膜的制备方法，其中，制备步骤包括：

向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气，并通过磁控溅射工艺形成ITO薄膜。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，在制备ITO薄膜的过程中，控制通入水汽的量保持恒定。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，在制备ITO薄膜的过程中，控制通入水汽的量随时间变化。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，通入的水汽的量随时间的增长而递减。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，通入的水汽的量在预设的水汽分压范围值内递减。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述预设的水汽分压范围值为6×10-3Pa～2×10-3Pa。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气具体包括：

向工艺腔室中通入恒定量的氧气和氩气，且氧气的量和氩气的量之间具有设定的比例关系；

向工艺腔室中通入水汽，通入水汽的量随时间的增长而递减。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，氧气的量和氩气的量之间的比例大于0且小于等于1/70。

如上所述的ITO薄膜的制备方法，其中，优选的是，用于制备所述ITO薄膜的工艺腔室的真空度为5×10-4Pa，制程功率为2kW～8kW，沉积速率为2nm/s～5nm/s。

本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在ITO薄膜制备过程中引入水汽，提高了ITO薄膜有效透过率、迁移率等电学性能和光学性能，同时增加了使用此ITO薄膜的异质结太阳能电池的短路电流，提升了电池的光电转化效率。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1为本发明实施例提供的ITO薄膜的制备方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的ITO薄膜的有效透过率图谱；

图3为水汽分压随时间变化的变化曲线。

具体实施方式