[发明专利]一种LED芯片的制备方法及LED芯片

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

分别在与N型层、P型层和发光层各自匹配的蚀刻层上形成N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层；

蚀刻掉与所述N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层各自匹配的蚀刻层后，得到N型靶材层、P型靶材层和发光靶材层；

依次将所述N型靶材层、所述发光靶材层和所述P型靶材层溅射至预先制备的基底层上，在所述基底层上形成所述N型层、发光层和P型层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底层包括衬底、反射层以及第一接触电极层，其中，所述衬底包括衬底第一接触层以及衬底第二接触层，所述反射层位于所述衬底第一接触层上，所述第一接触电极层位于所述衬底第二接触层上，所述第一接触电极层用于接入电源负极；

在所述P型层上形成与所述P型层电连接的电极层，所述电极层用于接入电源正极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

切割所述衬底第一接触层形成V型接触面；

在所述V型接触面上形成V型反射层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发光靶材层包括相互独立的势井靶材层和势磊靶材层，形成所述发光层包括：

依次在所述N型层上更替溅射所述势井靶材层和所述势磊靶材层，以在所述N型层和所述P型层之间形成交错排列的势井层和势磊层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电极层包括形成于所述P型层上的P电极欧姆接触层和形成于所述P电极欧姆接触层之上的第二接触电极层，所述第二接触电极层用于接入电源正极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述P电极欧姆接触层进行粗化。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述形成所述N型层之后，在所述N型层上形成第一电极层；

在形成所述发光层之后，在所述发光层上形成第二电极层，或者，在形成所述P型层之后，在所述P型层上形成第二电极层；

所述第一电极层和所述第二电极层组成电容。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一电极层包括第一介电层、第一导电层和第二介电层，所述形成第一电极层包括：

在所述N型层上形成所述第一介电层；

在所述第一介电层上形成所述第一导电层；

在所述第一导电层上形成所述第二介电层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二电极层包括第三介电层、第二导电层和第四介电层，所述形成第二电极层包括：

在所述发光层上形成所述第三介电层；

在所述第三介电层上形成所述第二导电层；

在所述第二导电层上形成所述第四介电层；

所述第二导电层和所述第一导电层组成所述电容。

10.一种LED芯片，其特征在于，包括：基底层，所述基底层包括衬底、反射层以及第一接触电极层，其中，所述衬底包括衬底第一接触层以及衬底第二接触层，所述反射层位于所述衬底第一接触层上，所述第一接触电极层位于所述衬底第二接触层上，所述第一接触电极层用于接入电源负极；

依次形成于所述基底层上的N型层、发光层和P型层；

所述LED芯片还包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层沉积于所述N型层的上表面，所述第二电极层沉积于所述发光层的上表面或者沉积于所述P型层的上表面，所述第一电极层和所述第二电极层形成环形电容；

其中，形成所述N型层、发光层和P型层包括：

分别在与所述N型层、P型层和发光层各自匹配的蚀刻层上形成N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层；

蚀刻掉与所述N型靶材混合层、P型靶材混合层和发光靶材混合层各自匹配的蚀刻层后，得到N型靶材层、P型靶材层和发光靶材层；

依次将所述N型靶材层、所述发光靶材层和所述P型靶材层溅射至预先制备的基底层上，在所述基底层上形成位于所述反射层上的所述N型层、位于所述N型层上的发光层和位于所述发光层上的P型层；

所述P型层还包括P电极欧姆接触层和第二接触电极层，所述第二接触电极层用于接入电源正极，所述P电极欧姆接触层表面形成有粗化面；

其中，所述衬底第一接触层、所述反射层、所述N型层、所述发光层、所述P型层和所述P电极欧姆接触层呈V型结构。