[发明专利]抛光用压力缓冲垫、抛光装置及抛光工艺

说明书

本发明提供抛光用压力缓冲垫、抛光装置及抛光工艺，涉及抛光技术领域。涉及抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，压力缓冲垫一面设置有胶层，压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；压力缓冲垫通过胶层与抛光盘固定。涉及抛光装置，设置有上述的抛光用压力缓冲垫，该压力缓冲垫可以与抛光盘粘贴，也可以与抛光磨头粘贴；压力缓冲垫设置在抛光盘与抛光磨头之间即可，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。还涉及抛光工艺，采用上述的抛光装置。采用本发明的技术方案，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。

技术领域

本发明涉及抛光技术领域，尤其是涉及抛光用压力缓冲垫及抛光工艺。

背景技术

化学机械抛光(CMP)技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，在集成电路制造过程的各阶段表面平整化工艺和大尺寸裸晶圆的表面抛光工艺中得到广泛应用。化学机械抛光的过程，主要是通过抛光垫、抛光液和所选的化学试剂的作用从晶片基板去除材料的过程。

在这个过程中，抛光模板，压力盘，压力磨头，大盘等装置构成了抛光的主要场所，其中抛布贴在大盘上，抛光模板把晶圆压在抛布上面，随着抛头和大盘的旋转，晶圆表面在被抛光液作用后能够被抛布上的绒毛去除，最终实现抛光。但是在抛光一些特殊晶圆时，晶圆表面的厚度不是均匀分布的，有的是边缘厚，中间薄，有的则是相反，在这种情况下，纯平设计的模板和压力盘把晶圆压在大盘上后，晶圆的边缘和中间所受到的压力就会差异较大，导致晶圆中间和边缘的去除效果不一致，增大了抛光的时间，甚至导致抛光失败。

鉴于此，迫切需要一种能够提高抛光效率的结构。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种抛光用压力缓冲垫，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。

本发明提供的一种抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，所述压力缓冲垫一面设置有胶层，所述压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；

所述压力缓冲垫通过所述胶层与抛光盘或抛光磨头固定。

在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力传导区域为凸起结构，所述凸起结构内设置有气垫、液压垫或压力传感器中的一个或多个。

在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫的厚度范围为100um～10mm。

在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸大于边缘位置厚度尺寸；

或者，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸小于边缘位置厚度尺寸；

或者，所述压力缓冲垫的一边厚度尺寸小于另一边厚度尺寸；

或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸小于两者之间的过渡区域的厚度尺寸；

或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸大于两者之间的过渡区域的厚度尺寸。

在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫为方形、圆形、椭圆形、环形或雪花状结构中的一个。

在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力传导区域为镂空或半镂空结构，将所述压力传导区域分割成多个独立的压力传导区域。

在上述任一技术方案中，进一步地，所述胶层为热熔胶、压敏胶、UV胶中的一种。