[发明专利]提高通孔层OPC精度的方法

说明书

本发明公开了一种提高通孔层OPC精度的方法，选择正方形密集通孔图形的密集图形边，限制一个或两个密集图形边的修正，根据基于模型的OPC处理方法，赋予选定密集图形边以固定的修正值。本发明能够提高整体OPC修正精度并改善微影工艺窗口。

技术领域

本发明涉及微电子版图数据光学修正领域，特别是涉及一种提高通孔层OPC(光学临近效应修正)精度的方法。

背景技术

在深亚微米集成电路制造中，基于模型的OPC处理已经广泛应用于不同层次的微影工艺中。通过建立由硅片数据校正的光刻模型，能够很好的预测在特定的微影工艺条件下存在图形转移失真现象，然后根据模型模拟的失真情况作出一定的图形补偿或修正，并对修正后的图形再进行模拟并检查是否达到目标，如此循环经过一定的迭代次数后，使最后图形的模拟能够尽可能接近目标图形，这就是现有的基于模型的OPC处理方法(以下简称“传统OPC方法”)。

然而在实际的修正过程中，受到掩模板制作能力限制，OPC修正图形分段必须达到一定的尺寸，这就会使OPC修正精度受到一定影响，尤其在图形结构复杂的情况下。另外，考虑到出版周期，必须采用合理OPC迭代次数，这也会影响到最终结果的精度。虽然OPC软件能够自动根据模拟结果与目标图形的误差不断的对版图进行调整，但是在图形密度高的情况下，图形之间的相互影响往往使这种版图修正变得更加困难，每个图形的局部细微变化都可能影响相邻图形的成像结果，因此虽然经过多次迭代处理，仍然存在部分图形或图形部分不能达到目标的情况。

图2是一个由6个通孔组成的密集通孔图形，从模拟结果看，每个通孔的部分图形边都存在一定的模拟误差，这些误差还导致通孔之间的间距变小，从硅片结果看，通孔之间间距的尺寸比目标值偏小约10％，虽然没有造成通孔之间的连接，但是这种尺寸偏离导致工艺窗口减小，在工艺浮动的情况下，存在一定的图形缺陷的风险。

考虑到掩模板制作解析能力，以及OPC模型精度的适用范围，在OPC处理中一般对正方形通孔图形的图形边不进行分段，也就是说，在修正过程中移动整个正方形图形边。由于通孔之间互相影响，任何相邻的图形边的移动都可能导致整个模拟结果发生变化，因此导致最终的修正结果难以达到目标。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种提高通孔层OPC精度的方法，能够提高整体OPC修正精度，并改善微影工艺窗口。

为解决上述技术问题，本发明的提高通孔层OPC精度的方法是采用如下技术方案实现的：选择正方形密集通孔图形的密集图形边，限制一个或两个密集图形边的修正，根据基于模型的OPC处理方法，赋予选定密集图形边以固定的修正值。

提高通孔层OPC精度的方法，包括如下步骤：

步骤1、输入目标图形，选择正方形密集通孔图形；

步骤2、选择正方形密集通孔图形中的所有密集图形边；

判断密集图形边是否小于3个，若小于，则选择1个或2个密集图形边，然后执行步骤6；若不小于，则进一步判断密集图形边是否大于3个，若不大于，则选择2个互相平行的密集图形边，然后执行步骤6，若大于，则执行步骤7；

步骤3、选择正方形密集通孔图形中的非密集图形边；

步骤4、选择正方形密集通孔内与非密集图形边相邻的通孔图形边；

步骤5、对密集图形边和通孔图形边进行逻辑与运算，得到固定修正值图形边；

步骤6、设定密集图形边的固定修正值；

步骤7、进行基于模型的OPC处理,在OPC迭代过程中，根据步骤5选出的固定修正值图形边按固定修正值作OPC修正，其它图形边按照基于模型的OPC处理方法进行迭代处理，得到最终的OPC图形。