[发明专利]图像传感器及包括其的电子装置

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

包括共用像素的像素区域，其中所述共用像素中的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管；以及

与所述像素区域相邻的晶体管(TR)区域，其中所述晶体管区域包括对应于所述共用像素的晶体管组，

其中，当所述共用像素中的第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时，所述晶体管组中对应于所述第一共用像素的第一晶体管组和对应于所述第二共用像素的第二晶体管组共用第一选择晶体管的源极区域。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述共用像素中的每个中，四个光电二极管组成所述组，并且所述第一晶体管组和所述第二晶体管组关于所述第一选择晶体管的所述源极区域处于镜像对称关系。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一晶体管组包括沿所述第一方向自电连接到所述第一共用像素的所述浮置扩散区域的第一等效浮置扩散区域起顺序布置的第一复位晶体管、第一源极跟随器晶体管和所述第一选择晶体管；以及

所述第二晶体管组包括沿所述第一方向自所述第一选择晶体管的所述源极区域起顺序布置的第二选择晶体管、第二源极跟随器晶体管和第二复位晶体管，并且电连接到所述第二共用像素的所述浮置扩散区域的第二等效浮置扩散区域形成所述第二复位晶体管的源极区域。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，沿所述第一方向，第三共用像素邻近所述第一共用像素设置，并且所述第一晶体管组的所述第一等效浮置扩散区域通过隔离区域与对应于所述第三共用像素的第三晶体管组的第三等效浮置扩散区域电隔离，所述第三等效浮置扩散区域电连接到所述第三共用像素的所述浮置扩散区域。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述隔离区域被设置成浅沟槽隔离(STI)结构或包括绝缘层和在所述绝缘层下方的半导体层的隔离结构。

6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述隔离区域沿所述第一方向形成在所述第一共用像素和第二共用像素中的每个的一侧而不是两侧上。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述共用像素中的每个中，八个光电二极管组成所述组，所述共用像素中的每个中的所述八个光电二极管组成四个光电二极管对，每对包括在交叉所述第一方向的第二方向上排列的两个相邻光电二极管，所述第一选择晶体管包括底第一选择晶体管和顶第一选择晶体管，并且所述第一晶体管组和所述第二晶体管组共用所述底第一选择晶体管的源极区域。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第一晶体管组具有关于电连接到所述第一共用像素的所述浮置扩散区域的第一等效浮置扩散区域的镜像对称结构。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一晶体管组包括：沿所述第一方向自所述第一等效浮置扩散区域起向下顺序地布置的底第一复位晶体管、底第一源极跟随器晶体管和所述底第一选择晶体管；以及沿所述第一方向自所述第一等效浮置扩散区域起向上顺序地布置的顶第一复位晶体管、顶第一源极跟随器晶体管和所述顶第一选择晶体管，并且所述第一等效浮置扩散区域是所述底第一复位晶体管和所述顶第一复位晶体管的公共源极区域。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述第一等效浮置扩散区域通过互连连接到所述底第一源极跟随器晶体管的栅电极和所述顶第一源极跟随器晶体管的栅电极。

11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，沿所述第一方向，第三共用像素邻近所述第一共用像素设置，所述顶第一选择晶体管的源极区域由所述第一晶体管组和对应于所述第三共用像素的第三晶体管组共用，所述第一晶体管组和所述第二晶体管组关于所述底第一选择晶体管的源极区域处于镜像对称关系，并且所述第一晶体管组和所述第三晶体管组关于所述顶第一选择晶体管的所述源极区域处于镜像对称关系。